MOSFET onsemi NVMYS1D3N04CTWG, VDSS 40 V, ID 252 A, LFPAK, SOT-669 de 4 pines, , config. Simple

Código de producto RS: 185-9246Marca: onsemiNúmero de parte de fabricante: NVMYS1D3N04CTWG
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Documentos Técnicos

Especificaciones

Brand

onsemi

Tipo de Canal

N

Corriente Máxima Continua de Drenaje

252 A

Tensión Máxima Drenador-Fuente

40 V

Tipo de Encapsulado

LFPAK, SOT-669

Tipo de montaje

Montaje superficial

Conteo de Pines

4

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

1.15 mΩ

Modo de Canal

Mejora

Tensión de umbral de puerta máxima

3.5V

Tensión de umbral de puerta mínima

2.5V

Disipación de Potencia Máxima

134000 mW

Configuración de transistor

Single

Tensión Máxima Puerta-Fuente

±20 V

Número de Elementos por Chip

1

Profundidad

4.25mm

Longitud

5mm

Carga Típica de Puerta @ Vgs

75 nC a 10 V

Temperatura máxima de funcionamiento

+175 °C

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55 °C

Tensión de diodo directa

1.2V

Altura

1.2mm

Estándar de automoción

AEC-Q101

País de Origen

Philippines

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€ 6,98

€ 1,746 Each (In a Pack of 4) (Sin IVA)

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Disponible en múltiplos de 4.

Producción -

Disponible en múltiplos de 4.

Recomendado para pedidos en grandes cantidades. Los artículos se empaquetan listos para insertarlos en la maquinaria, lo que le permite mejorar la eficiencia de la producción.

4

Disponible en múltiplos de 4
4€ 6,98
8€ 13,97
12€ 20,95
16€ 27,93
20€ 34,92
24€ 41,90
28€ 48,88
32€ 55,87
36€ 62,85
40€ 69,83
44€ 76,82
48€ 83,80
52€ 90,79
56€ 97,77
60€ 104,75

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40 V

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Tipo de montaje

Montaje superficial

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4

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

1.15 mΩ

Modo de Canal

Mejora

Tensión de umbral de puerta máxima

3.5V

Tensión de umbral de puerta mínima

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Disipación de Potencia Máxima

134000 mW

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Single

Tensión Máxima Puerta-Fuente

±20 V

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1

Profundidad

4.25mm

Longitud

5mm

Carga Típica de Puerta @ Vgs

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