MOSFET onsemi NTZD3152PT1G, VDSS 20 V, ID 430 mA, SOT-563 de 6 pines, 2elementos, config. Aislado

Código de producto RS: 780-4795PMarca: onsemiNúmero de parte de fabricante: NTZD3152PT1G
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Documentos Técnicos

Especificaciones

Brand

onsemi

Tipo de Canal

P

Corriente Máxima Continua de Drenaje

430 mA

Tensión Máxima Drenador-Fuente

20 (canal N) V, -20 (canal P) V

Tipo de Encapsulado

SOT-563

Tipo de montaje

Surface Mount

Conteo de Pines

6

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

2 Ω

Modo de Canal

Mejora

Tensión de umbral de puerta máxima

1V

Disipación de Potencia Máxima

280 mW

Configuración de transistor

Isolated

Tensión Máxima Puerta-Fuente

-6 V, +6 V

Número de Elementos por Chip

2

Ancho

1.3mm

Material del transistor

Si

Longitud:

1.7mm

Carga Típica de Puerta @ Vgs

1,7 nC a 4,5 V

Máxima Temperatura de Funcionamiento

+150 ºC

Altura

0.6mm

Mínima Temperatura de Funcionamiento

-55 °C

Datos del producto

MOSFET de canal P doble, ON Semiconductor

MOSFET Transistors, ON Semiconductor

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€ 7,45

€ 0,298 Each (Supplied on a Reel) (Sin IVA)

MOSFET onsemi NTZD3152PT1G, VDSS 20 V, ID 430 mA, SOT-563 de 6 pines, 2elementos, config. Aislado
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Empaque de Producción (Rollo)

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Disponible en múltiplos de 25.

Producción -

Disponible en múltiplos de 25.

Recomendado para pedidos en grandes cantidades. Los artículos se empaquetan listos para insertarlos en la maquinaria, lo que le permite mejorar la eficiencia de la producción.

25

Disponible en múltiplos de 25
25€ 7,45
50€ 14,90
75€ 22,35
100€ 29,80
125€ 37,25
150€ 44,70
175€ 52,15
200€ 59,60
225€ 67,05
250€ 74,50
275€ 81,96
300€ 89,41
325€ 96,86
350€ 104,31
375€ 111,76

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Tipo de Encapsulado

SOT-563

Tipo de montaje

Surface Mount

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6

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

2 Ω

Modo de Canal

Mejora

Tensión de umbral de puerta máxima

1V

Disipación de Potencia Máxima

280 mW

Configuración de transistor

Isolated

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2

Ancho

1.3mm

Material del transistor

Si

Longitud:

1.7mm

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