MOSFET onsemi NTPF082N65S3F, VDSS 650 V, ID 40 A, TO-220 de 3 pines, , config. Simple
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
onsemiTipo de Canal
N
Corriente Máxima Continua de Drenaje
-40 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
650 V
Tipo de Encapsulado
TO-220
Tipo de montaje
Through Hole
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
82 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
5V
Tensión de umbral de puerta mínima
3V
Disipación de Potencia Máxima
48000 mW
Configuración de transistor
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±30 V
Número de Elementos por Chip
1
Ancho
4.9mm
Longitud
10.63mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
70 nC a 10 V
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+150 ºC
Mínima Temperatura de Funcionamiento
-55 °C
Tensión de diodo directa
1.3V
Altura
16.12mm
País de Origen
China
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€ 6,45
€ 6,45 Each (Sin IVA)
1
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| Cantidad | Precio Unitario sin IVA |
|---|---|
| 1 - 9 | € 6,45 |
| 10+ | € 5,56 |
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3
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Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
5V
Tensión de umbral de puerta mínima
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1
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Longitud
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Máxima Temperatura de Funcionamiento
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