MOSFET onsemi NTMJS0D9N04CLTWG, VDSS 40 V, ID 330 A, LFPAK8 de 8 pines, , config. Simple

Código de producto RS: 189-0485Marca: onsemiNúmero de parte de fabricante: NTMJS0D9N04CLTWG
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Documentos Técnicos

Especificaciones

Brand

onsemi

Tipo de Canal

N

Corriente Máxima Continua de Drenaje

330 A

Tensión Máxima Drenador-Fuente

40 V

Tipo de Encapsulado

LFPAK8

Tipo de montaje

Montaje superficial

Conteo de Pines

8

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

1,2 mΩ

Modo de Canal

Mejora

Tensión de umbral de puerta máxima

2V

Tensión de umbral de puerta mínima

1.2V

Disipación de Potencia Máxima

167000 mW

Configuración de transistor

Single

Tensión Máxima Puerta-Fuente

±20 V

Número de Elementos por Chip

1

Profundidad

4.9mm

Longitud

5mm

Carga Típica de Puerta @ Vgs

143 nC a 10 V

Temperatura máxima de funcionamiento

+175 °C

Tensión de diodo directa

1.2V

Altura

1.2mm

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55 °C

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€ 11,73

€ 2,347 Each (In a Pack of 5) (Sin IVA)

MOSFET onsemi NTMJS0D9N04CLTWG, VDSS 40 V, ID 330 A, LFPAK8 de 8 pines, , config. Simple
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Producción -

Disponible en múltiplos de 5.

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5

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5€ 11,73
10€ 23,47
15€ 35,20
20€ 46,93
25€ 58,66
30€ 70,40
35€ 82,13
40€ 93,86
45€ 105,60
50€ 101,14
55€ 111,25
60€ 121,37
65€ 131,48
70€ 141,59
75€ 151,71

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CantidadPrecio Unitario sin IVAPer Pack
5 - 45€ 2,347€ 11,73
50 - 95€ 2,023€ 10,11
100+€ 1,753€ 8,76

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Tipo de Canal

N

Corriente Máxima Continua de Drenaje

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Tipo de Encapsulado

LFPAK8

Tipo de montaje

Montaje superficial

Conteo de Pines

8

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

1,2 mΩ

Modo de Canal

Mejora

Tensión de umbral de puerta máxima

2V

Tensión de umbral de puerta mínima

1.2V

Disipación de Potencia Máxima

167000 mW

Configuración de transistor

Single

Tensión Máxima Puerta-Fuente

±20 V

Número de Elementos por Chip

1

Profundidad

4.9mm

Longitud

5mm

Carga Típica de Puerta @ Vgs

143 nC a 10 V

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