Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
onsemiTipo de Canal
N
Corriente Máxima Continua de Drenaje
71 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
60 V
Tipo de Encapsulado
DFN
Tipo de montaje
Montaje superficial
Conteo de Pines
5
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
8.8 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
2V
Disipación de Potencia Máxima
61 W
Configuración de transistor
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
-20 V, +20 V
Profundidad
6.1mm
Material del transistor
Si
Número de Elementos por Chip
1
Longitud
5.1mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
20 nC a 10 V, 9 nC a 4,5 V
Temperatura máxima de funcionamiento
+175 °C
Altura
1.95mm
Temperatura Mínima de Operación
-55 °C
Tensión de diodo directa
1.2V
País de Origen
Malaysia
Datos del producto
MOSFET de potencia de canal N, 60V, ON Semiconductor
MOSFET Transistors, ON Semiconductor
€ 6,92
€ 0,692 Each (In a Pack of 10) (Sin IVA)
Estándar
10
€ 6,92
€ 0,692 Each (In a Pack of 10) (Sin IVA)
Estándar
10
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Cantidad | Precio Unitario sin IVA | Per Pack |
---|---|---|
10 - 90 | € 0,692 | € 6,92 |
100 - 240 | € 0,597 | € 5,97 |
250 - 490 | € 0,517 | € 5,17 |
500 - 990 | € 0,454 | € 4,54 |
1000+ | € 0,414 | € 4,14 |
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
onsemiTipo de Canal
N
Corriente Máxima Continua de Drenaje
71 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
60 V
Tipo de Encapsulado
DFN
Tipo de montaje
Montaje superficial
Conteo de Pines
5
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
8.8 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
2V
Disipación de Potencia Máxima
61 W
Configuración de transistor
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
-20 V, +20 V
Profundidad
6.1mm
Material del transistor
Si
Número de Elementos por Chip
1
Longitud
5.1mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
20 nC a 10 V, 9 nC a 4,5 V
Temperatura máxima de funcionamiento
+175 °C
Altura
1.95mm
Temperatura Mínima de Operación
-55 °C
Tensión de diodo directa
1.2V
País de Origen
Malaysia
Datos del producto