MOSFET onsemi NTK3139PT1G, VDSS 20 V, ID 870 mA, SOT-723 de 3 pines
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
onsemiTipo de Canal
P
Corriente Máxima Continua de Drenaje
870 mA
Tensión Máxima Drenador-Fuente
20 (canal N) V, -20 (canal P) V
Tipo de Encapsulado
SOT-723
Tipo de montaje
Montaje superficial
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
2.2 Ω
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
1.2V
Disipación de Potencia Máxima
550 mW
Tensión Máxima Puerta-Fuente
-6 V, +6 V
Número de Elementos por Chip
1
Profundidad
0.85mm
Longitud
1.25mm
Material del transistor
Si
Temperatura Máxima de Operación
+150 ºC
Mínima Temperatura de Funcionamiento
-55 °C
Altura
0.55mm
País de Origen
China
Datos del producto
MOSFET de potencia de canal P, 20 V, ON Semiconductor
MOSFET Transistors, ON Semiconductor
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€ 361,38
€ 0,09 Each (On a Reel of 4000) (Sin IVA)
4000
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2.2 Ω
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Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
1.2V
Disipación de Potencia Máxima
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Tensión Máxima Puerta-Fuente
-6 V, +6 V
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Profundidad
0.85mm
Longitud
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Material del transistor
Si
Temperatura Máxima de Operación
+150 ºC
Mínima Temperatura de Funcionamiento
-55 °C
Altura
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