MOSFET onsemi NTJD4152PT1G, VDSS 20 V, ID 880 mA, SOT-363 de 6 pines, 2elementos, config. Aislado
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
onsemiTipo de Canal
P
Corriente Máxima Continua de Drenaje
880 mA
Tensión Máxima Drenador-Fuente
20 (canal N) V, -20 (canal P) V
Tipo de Encapsulado
SOT-363
Tipo de montaje
Montaje superficial
Conteo de Pines
6
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
1 Ω
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
1.2V
Disipación de Potencia Máxima
350 mW
Configuración de transistor
Isolated
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±12 V
Número de Elementos por Chip
2
Longitud
2.2mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
2,2 nC a 4,5 V
Temperatura máxima de funcionamiento
+150 ºC
Profundidad
1.35mm
Material del transistor
Si
Altura
1mm
Temperatura Mínima de Operación
-55 °C
Datos del producto
MOSFET de canal P doble, ON Semiconductor
MOSFET Transistors, ON Semiconductor
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€ 5,88
€ 0,235 Each (Supplied on a Reel) (Sin IVA)
Empaque de Producción (Rollo)
25
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Carga Típica de Puerta @ Vgs
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