MOSFET onsemi NTJD1155LT1G, VDSS 8 V, ID 1,3 A, SOT-363 de 6 pines, 2elementos, config. Interruptor de carga N+P
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
onsemiTipo de Canal
N, P
Corriente Máxima Continua de Drenaje
1.3 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
8 V
Tipo de Encapsulado
SOT-363
Tipo de montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
6
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
320 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
1V
Disipación de Potencia Máxima
400 mW
Configuración de transistor
Interruptor de carga N+P
Tensión Máxima Puerta-Fuente
+8 V
Ancho
1.35mm
Material del transistor
Si
Longitud
2.2mm
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+150 ºC
Número de Elementos por Chip
2
Altura
1mm
Mínima Temperatura de Funcionamiento
-55 °C
Datos del producto
MOSFET de canal N/P doble, ON Semiconductor
El NTJD1155L es un MOSFET de doble canal. Con los canales P y N en un solo paquete, este MOSFET es brillante para la señal de control baja, tensiones de batería bajas y corrientes de carga altas. El canal N ofrece protección ESD interna y puede ser impulsado por señales lógicas tan bajas como 1,5 V, mientras que el canal P está diseñado para ser utilizado en aplicaciones de conmutación de carga. El canal P también diseñado con la tecnología de trinchera ON semi.
MOSFET Transistors, ON Semiconductor
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€ 5,80
€ 0,29 Each (Supplied on a Reel) (Sin IVA)
Empaque de Producción (Rollo)
20
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Tensión Máxima Puerta-Fuente
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Máxima Temperatura de Funcionamiento
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Número de Elementos por Chip
2
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Mínima Temperatura de Funcionamiento
-55 °C
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MOSFET de canal N/P doble, ON Semiconductor
El NTJD1155L es un MOSFET de doble canal. Con los canales P y N en un solo paquete, este MOSFET es brillante para la señal de control baja, tensiones de batería bajas y corrientes de carga altas. El canal N ofrece protección ESD interna y puede ser impulsado por señales lógicas tan bajas como 1,5 V, mientras que el canal P está diseñado para ser utilizado en aplicaciones de conmutación de carga. El canal P también diseñado con la tecnología de trinchera ON semi.
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