Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
onsemiTipo de Canal
N
Corriente de desconexión de drenaje de tensión Idss
min. 5mA
Tensión Máxima Puerta-Fuente
-35 V
Tensión Máxima Puerta-Drenador
35V
Configuración
Single
Configuración de transistor
Single
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
50 Ω
Tipo de montaje
Montaje superficial
Tipo de Encapsulado
SOT-23-5
Conteo de Pines
3
Capacidad Drenador-Fuente
28pF
Capacidad Fuente-Puerta
28pF
Dimensiones
2.92 x 1.3 x 0.93mm
Profundidad
1.3mm
Altura
0.93mm
Temperatura de Funcionamiento Mínima
-55 °C
Longitud
2.92mm
Temperatura máxima de funcionamiento
+150 ºC
Datos del producto
JFET de canal N, Fairchild Semiconductor
JFET Transistors
A range of JFET (junction field-effect transistor) and HEMT/HFET (high-electron-mobility transistor/ hetero-junction FET) discrete semiconductor devices.
€ 20,32
€ 0,203 Each (Supplied on a Reel) (Sin IVA)
Empaque de Producción (Rollo)
100
€ 20,32
€ 0,203 Each (Supplied on a Reel) (Sin IVA)
Empaque de Producción (Rollo)
100
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Cantidad | Precio Unitario sin IVA | Per Rollo |
---|---|---|
100 - 225 | € 0,203 | € 5,08 |
250 - 475 | € 0,176 | € 4,40 |
500 - 975 | € 0,155 | € 3,86 |
1000+ | € 0,14 | € 3,51 |
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
onsemiTipo de Canal
N
Corriente de desconexión de drenaje de tensión Idss
min. 5mA
Tensión Máxima Puerta-Fuente
-35 V
Tensión Máxima Puerta-Drenador
35V
Configuración
Single
Configuración de transistor
Single
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
50 Ω
Tipo de montaje
Montaje superficial
Tipo de Encapsulado
SOT-23-5
Conteo de Pines
3
Capacidad Drenador-Fuente
28pF
Capacidad Fuente-Puerta
28pF
Dimensiones
2.92 x 1.3 x 0.93mm
Profundidad
1.3mm
Altura
0.93mm
Temperatura de Funcionamiento Mínima
-55 °C
Longitud
2.92mm
Temperatura máxima de funcionamiento
+150 ºC
Datos del producto
JFET de canal N, Fairchild Semiconductor
JFET Transistors
A range of JFET (junction field-effect transistor) and HEMT/HFET (high-electron-mobility transistor/ hetero-junction FET) discrete semiconductor devices.