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MOSFET onsemi FDS9926A, VDSS 20 V, ID 6.5 A, SOIC de 8 pines, 2elementos, config. Aislado

Código de producto RS: 671-0769Marca: onsemiNúmero de parte de fabricante: FDS9926A
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Documentos Técnicos

Especificaciones

Brand

onsemi

Tipo de Canal

N

Corriente Máxima Continua de Drenaje

6.5 A

Tensión Máxima Drenador-Fuente

20 (canal N) V, -20 (canal P) V

Tipo de Encapsulado

SOIC

Series

PowerTrench

Tipo de montaje

Montaje superficial

Conteo de Pines

8

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

30 m.Ω

Modo de Canal

Mejora

Tensión de umbral de puerta mínima

0.6V

Disipación de Potencia Máxima

2000 mW

Configuración de transistor

Isolated

Tensión Máxima Puerta-Fuente

±10 V

Profundidad

4mm

Número de Elementos por Chip

2

Longitud

5mm

Temperatura máxima de funcionamiento

+150 ºC

Material del transistor

Si

Carga Típica de Puerta @ Vgs

6,2 nC a 4,5 V

Altura

1.5mm

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55 °C

Datos del producto

MOSFET de canal N doble PowerTrench®, Fairchild Semiconductor

On Semis PowerTrench® Los MOSFETS son conmutados de potencia optimizados que ofrecen mayor eficiencia del sistema y densidad de potencia. Combinan carga de puerta pequeña, recuperación de retroceso pequeña y un diodo de cuerpo de recuperación de reversa suave para contribuir a la conmutación rápida de la rectificación síncrona en fuentes de alimentación de CA/CC.
El rendimiento del diodo de cuerpo suave de los MOSFET PowerTrench® es capaz de eliminar el circuito amortiguador o reemplazar un MOSFET de mayor tensión nominal.

MOSFET Transistors, ON Semi

ON Semi offers a substantial portfolio of MOSFET devices that includes high-voltage (>250V) and low-voltage (<250V) types. The advanced silicon technology provides smaller die sizes, which it is incorporated into multiple industry-standard and thermally-enhanced packages.
ON Semi MOSFETs provide superior design reliability from reduced voltage spikes and overshoot, to lower junction capacitance and reverse recovery charge, to elimination of additional external components to keep systems up and running longer.

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€ 3,29

€ 0,658 Each (In a Pack of 5) (Sin IVA)

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CantidadPrecio Unitario sin IVAPer Pack
5 - 45€ 0,658€ 3,29
50 - 95€ 0,568€ 2,84
100 - 495€ 0,492€ 2,46
500 - 995€ 0,433€ 2,16
1000+€ 0,395€ 1,97

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Tipo de Encapsulado

SOIC

Series

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Tipo de montaje

Montaje superficial

Conteo de Pines

8

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

30 m.Ω

Modo de Canal

Mejora

Tensión de umbral de puerta mínima

0.6V

Disipación de Potencia Máxima

2000 mW

Configuración de transistor

Isolated

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±10 V

Profundidad

4mm

Número de Elementos por Chip

2

Longitud

5mm

Temperatura máxima de funcionamiento

+150 ºC

Material del transistor

Si

Carga Típica de Puerta @ Vgs

6,2 nC a 4,5 V

Altura

1.5mm

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55 °C

Datos del producto

MOSFET de canal N doble PowerTrench®, Fairchild Semiconductor

On Semis PowerTrench® Los MOSFETS son conmutados de potencia optimizados que ofrecen mayor eficiencia del sistema y densidad de potencia. Combinan carga de puerta pequeña, recuperación de retroceso pequeña y un diodo de cuerpo de recuperación de reversa suave para contribuir a la conmutación rápida de la rectificación síncrona en fuentes de alimentación de CA/CC.
El rendimiento del diodo de cuerpo suave de los MOSFET PowerTrench® es capaz de eliminar el circuito amortiguador o reemplazar un MOSFET de mayor tensión nominal.

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ON Semi offers a substantial portfolio of MOSFET devices that includes high-voltage (>250V) and low-voltage (<250V) types. The advanced silicon technology provides smaller die sizes, which it is incorporated into multiple industry-standard and thermally-enhanced packages.
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