MOSFET onsemi FDP4D5N10C, VDSS 100 V, ID 128 A, TO-220 de 3 pines, , config. Simple
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
onsemiTipo de Canal
N
Corriente Máxima Continua de Drenaje
128 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
100 V
Tipo de Encapsulado
TO-220
Tipo de montaje
Through Hole
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
4.5 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
4V
Tensión de umbral de puerta mínima
2V
Disipación de Potencia Máxima
150000 mW
Configuración de transistor
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±20 V
Número de Elementos por Chip
1
Profundidad
4.67mm
Longitud
10.36mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
48 nC a 10 V
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+175 °C
Mínima Temperatura de Funcionamiento
-55 °C
Tensión de diodo directa
1.3V
Altura
15.21mm
País de Origen
China
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€ 2.130,01
€ 2,663 Each (In a Tube of 800) (Sin IVA)
800
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