MOSFET onsemi FDMC7208S, VDSS 30 V, ID 12 A, 16 A, Power 33 de 8 pines, 2elementos, config. Aislado
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
onsemiTipo de Canal
N
Corriente Máxima Continua de Drenaje
12 A, 16 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
30 (canal N) V, -30 (canal P) V
Series
PowerTrench, SyncFET
Tipo de Encapsulado
Power 33
Tipo de montaje
Montaje superficial
Conteo de Pines
8
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
7.5 mΩ, 12.4 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta mínima
1.2V
Disipación de Potencia Máxima
1.9 W
Configuración de transistor
Isolated
Tensión Máxima Puerta-Fuente
-20 V, -12 V, +12 V, +20 V
Temperatura máxima de funcionamiento
+150 ºC
Profundidad
3mm
Material del transistor
Si
Longitud
3mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
13 nC a 10 V, 14 nC a 5 V, 26 nC a 10 V, 6,7 nC a 5 V
Número de Elementos por Chip
2
Altura
0.75mm
Temperatura de Funcionamiento Mínima
-55 °C
Datos del producto
MOSFET doble SyncFET™ PowerTrench®, Fairchild Semiconductor
Diseñado para minimizar las pérdidas de conversión de potencia, al tiempo que mantiene un excelente rendimiento de conmutación
Tecnología de zanjas de alto rendimiento para RDS(on) extremadamente baja.
SyncFET™ se beneficia del eficaz diodo de cuerpo Schottky
Aplicaciones en convertidor dc-dc con rectificación síncrona, controladores de motor, punto de redes de interruptor de carga de lado bajo
MOSFET Transistors, ON Semi
ON Semi offers a substantial portfolio of MOSFET devices that includes high-voltage (>250V) and low-voltage (<250V) types. The advanced silicon technology provides smaller die sizes, which it is incorporated into multiple industry-standard and thermally-enhanced packages.
ON Semi MOSFETs provide superior design reliability from reduced voltage spikes and overshoot, to lower junction capacitance and reverse recovery charge, to elimination of additional external components to keep systems up and running longer.
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
€ 8,04
€ 1,607 Each (In a Pack of 5) (Sin IVA)
Estándar
5
€ 8,04
€ 1,607 Each (In a Pack of 5) (Sin IVA)
Estándar
5
Información de stock no disponible temporalmente.
Vuelva a verificar más tarde.
| Cantidad | Precio Unitario sin IVA | Per Pack |
|---|---|---|
| 5 - 45 | € 1,607 | € 8,04 |
| 50 - 95 | € 1,384 | € 6,92 |
| 100 - 495 | € 1,201 | € 6,01 |
| 500 - 995 | € 1,056 | € 5,28 |
| 1000+ | € 0,96 | € 4,80 |
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
onsemiTipo de Canal
N
Corriente Máxima Continua de Drenaje
12 A, 16 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
30 (canal N) V, -30 (canal P) V
Series
PowerTrench, SyncFET
Tipo de Encapsulado
Power 33
Tipo de montaje
Montaje superficial
Conteo de Pines
8
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
7.5 mΩ, 12.4 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta mínima
1.2V
Disipación de Potencia Máxima
1.9 W
Configuración de transistor
Isolated
Tensión Máxima Puerta-Fuente
-20 V, -12 V, +12 V, +20 V
Temperatura máxima de funcionamiento
+150 ºC
Profundidad
3mm
Material del transistor
Si
Longitud
3mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
13 nC a 10 V, 14 nC a 5 V, 26 nC a 10 V, 6,7 nC a 5 V
Número de Elementos por Chip
2
Altura
0.75mm
Temperatura de Funcionamiento Mínima
-55 °C
Datos del producto
MOSFET doble SyncFET™ PowerTrench®, Fairchild Semiconductor
Diseñado para minimizar las pérdidas de conversión de potencia, al tiempo que mantiene un excelente rendimiento de conmutación
Tecnología de zanjas de alto rendimiento para RDS(on) extremadamente baja.
SyncFET™ se beneficia del eficaz diodo de cuerpo Schottky
Aplicaciones en convertidor dc-dc con rectificación síncrona, controladores de motor, punto de redes de interruptor de carga de lado bajo
MOSFET Transistors, ON Semi
ON Semi offers a substantial portfolio of MOSFET devices that includes high-voltage (>250V) and low-voltage (<250V) types. The advanced silicon technology provides smaller die sizes, which it is incorporated into multiple industry-standard and thermally-enhanced packages.
ON Semi MOSFETs provide superior design reliability from reduced voltage spikes and overshoot, to lower junction capacitance and reverse recovery charge, to elimination of additional external components to keep systems up and running longer.
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products