Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
onsemiTipo de Canal
N, P
Corriente Máxima Continua de Drenaje
460 mA, 680 mA
Tensión Máxima Drenador-Fuente
25 V
Tipo de Encapsulado
TO-236
Tipo de Montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
6
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
1.1 Ω, 450 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta mínima
0.65V
Disipación de Potencia Máxima
900 mW
Configuración de transistor
Isolated
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±8 V
Carga Típica de Puerta @ Vgs
1,1 nC a 4,5 V, 1,64 nC a 4,5 V
Anchura
1.7mm
Material del transistor
Si
Número de Elementos por Chip
2
Largo
3mm
Temperatura Máxima de Operación
+150 ºC
Temperatura Mínima de Funcionamiento
-55 °C
Altura
1mm
Datos del producto
FET digitales, Fairchild Semiconductor
MOSFET Transistors, ON Semi
ON Semi offers a substantial portfolio of MOSFET devices that includes high-voltage (>250V) and low-voltage (<250V) types. The advanced silicon technology provides smaller die sizes, which it is incorporated into multiple industry-standard and thermally-enhanced packages.
ON Semi MOSFETs provide superior design reliability from reduced voltage spikes and overshoot, to lower junction capacitance and reverse recovery charge, to elimination of additional external components to keep systems up and running longer.
€ 0,60
€ 0,60 Each (Sin IVA)
Estándar
1
€ 0,60
€ 0,60 Each (Sin IVA)
Información de stock no disponible temporalmente.
Estándar
1
Información de stock no disponible temporalmente.
Cantidad | Precio Unitario sin IVA |
---|---|
1 - 9 | € 0,60 |
10 - 99 | € 0,50 |
100 - 499 | € 0,44 |
500 - 999 | € 0,39 |
1000+ | € 0,36 |
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
onsemiTipo de Canal
N, P
Corriente Máxima Continua de Drenaje
460 mA, 680 mA
Tensión Máxima Drenador-Fuente
25 V
Tipo de Encapsulado
TO-236
Tipo de Montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
6
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
1.1 Ω, 450 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta mínima
0.65V
Disipación de Potencia Máxima
900 mW
Configuración de transistor
Isolated
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±8 V
Carga Típica de Puerta @ Vgs
1,1 nC a 4,5 V, 1,64 nC a 4,5 V
Anchura
1.7mm
Material del transistor
Si
Número de Elementos por Chip
2
Largo
3mm
Temperatura Máxima de Operación
+150 ºC
Temperatura Mínima de Funcionamiento
-55 °C
Altura
1mm
Datos del producto
FET digitales, Fairchild Semiconductor
MOSFET Transistors, ON Semi
ON Semi offers a substantial portfolio of MOSFET devices that includes high-voltage (>250V) and low-voltage (<250V) types. The advanced silicon technology provides smaller die sizes, which it is incorporated into multiple industry-standard and thermally-enhanced packages.
ON Semi MOSFETs provide superior design reliability from reduced voltage spikes and overshoot, to lower junction capacitance and reverse recovery charge, to elimination of additional external components to keep systems up and running longer.