Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
onsemiTipo de Canal
N
Corriente Máxima Continua de Drenaje
12 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
100 V
Series
PowerTrench
Tipo de Encapsulado
D2PAK (TO-263)
Tipo de montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
9 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta mínima
2V
Disipación de Potencia Máxima
310000 mW
Configuración de transistor
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
-20 V, +20 V
Carga Típica de Puerta @ Vgs
84 nC a 10 V
Anchura
9.65mm
Material del transistor
Si
Número de Elementos por Chip
1
Longitud:
10.67mm
Temperatura Máxima de Funcionamiento
+175 °C
Altura
4.83mm
Temperatura Mínima de Funcionamiento
-55 °C
Datos del producto
MOSFET de canal N para aplicaciones de automoción, Fairchild Semiconductor
Fairchild Semiconductor proporciona soluciones que resuelven problemas complejos en el mercado de la automoción con minuciosos estándares de calidad, seguridad y fiabilidad.
MOSFET Transistors, ON Semi
ON Semi offers a substantial portfolio of MOSFET devices that includes high-voltage (>250V) and low-voltage (<250V) types. The advanced silicon technology provides smaller die sizes, which it is incorporated into multiple industry-standard and thermally-enhanced packages.
ON Semi MOSFETs provide superior design reliability from reduced voltage spikes and overshoot, to lower junction capacitance and reverse recovery charge, to elimination of additional external components to keep systems up and running longer.
€ 3,28
€ 3,28 Each (Sin IVA)
Estándar
1
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Cantidad | Precio Unitario sin IVA |
---|---|
1 - 9 | € 3,28 |
10 - 99 | € 2,83 |
100 - 499 | € 2,45 |
500+ | € 2,16 |
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Especificaciones
Brand
onsemiTipo de Canal
N
Corriente Máxima Continua de Drenaje
12 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
100 V
Series
PowerTrench
Tipo de Encapsulado
D2PAK (TO-263)
Tipo de montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
9 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta mínima
2V
Disipación de Potencia Máxima
310000 mW
Configuración de transistor
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
-20 V, +20 V
Carga Típica de Puerta @ Vgs
84 nC a 10 V
Anchura
9.65mm
Material del transistor
Si
Número de Elementos por Chip
1
Longitud:
10.67mm
Temperatura Máxima de Funcionamiento
+175 °C
Altura
4.83mm
Temperatura Mínima de Funcionamiento
-55 °C
Datos del producto
MOSFET de canal N para aplicaciones de automoción, Fairchild Semiconductor
Fairchild Semiconductor proporciona soluciones que resuelven problemas complejos en el mercado de la automoción con minuciosos estándares de calidad, seguridad y fiabilidad.
MOSFET Transistors, ON Semi
ON Semi offers a substantial portfolio of MOSFET devices that includes high-voltage (>250V) and low-voltage (<250V) types. The advanced silicon technology provides smaller die sizes, which it is incorporated into multiple industry-standard and thermally-enhanced packages.
ON Semi MOSFETs provide superior design reliability from reduced voltage spikes and overshoot, to lower junction capacitance and reverse recovery charge, to elimination of additional external components to keep systems up and running longer.