MOSFET onsemi FCP190N65S3, VDSS 650 V, ID 17 A, TO-220 de 3 pines, , config. Simple
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
onsemiTipo de Canal
N
Corriente Máxima Continua de Drenaje
17 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
650 V
Tipo de Encapsulado
TO-220
Tipo de montaje
Through Hole
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
190 m.Ω
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
4.5V
Tensión de umbral de puerta mínima
2.5V
Disipación de Potencia Máxima
144000 mW
Configuración de transistor
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±30 V
Número de Elementos por Chip
1
Ancho
4.7mm
Longitud
10.67mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
33 nC a 10 V
Temperatura Máxima de Operación
+150 ºC
Mínima Temperatura de Funcionamiento
-55 °C
Tensión de diodo directa
1.2V
Altura
16.3mm
País de Origen
China
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€ 1.273,73
€ 1,592 Each (In a Tube of 800) (Sin IVA)
800
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800
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| Cantidad | Precio Unitario sin IVA | Per Tubo |
|---|---|---|
| 800 - 800 | € 1,592 | € 1.273,73 |
| 1600 - 2400 | € 1,55 | € 1.239,94 |
| 3200 - 4800 | € 1,51 | € 1.208,03 |
| 5600+ | € 1,472 | € 1.177,99 |
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N
Corriente Máxima Continua de Drenaje
17 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
650 V
Tipo de Encapsulado
TO-220
Tipo de montaje
Through Hole
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
190 m.Ω
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
4.5V
Tensión de umbral de puerta mínima
2.5V
Disipación de Potencia Máxima
144000 mW
Configuración de transistor
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±30 V
Número de Elementos por Chip
1
Ancho
4.7mm
Longitud
10.67mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
33 nC a 10 V
Temperatura Máxima de Operación
+150 ºC
Mínima Temperatura de Funcionamiento
-55 °C
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