MOSFET onsemi ECH8661-TL-H, VDSS 30 V, ID 5,5 A, 7 A, ECH de 8 pines, 2elementos, config. Aislado
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
onsemiTipo de Canal
N, P
Corriente Máxima Continua de Drenaje
5,5 A, 7 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
30 (canal N) V, -30 (canal P) V
Tipo de Encapsulado
ECH
Tipo de montaje
Montaje superficial
Conteo de Pines
8
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
24 mΩ, 39 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
2.6V
Disipación de Potencia Máxima
1.3 W
Configuración de transistor
Isolated
Tensión Máxima Puerta-Fuente
-20 V, +20 V
Profundidad
2.3mm
Material del transistor
Si
Número de Elementos por Chip
2
Longitud
2.9mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
11,8 nC a 10 V
Temperatura máxima de funcionamiento
+150 ºC
Altura
0.9mm
Datos del producto
MOSFET de canal N/P doble, ON Semiconductor
El NTJD1155L es un MOSFET de doble canal. Con los canales P y N en un solo paquete, este MOSFET es brillante para la señal de control baja, tensiones de batería bajas y corrientes de carga altas. El canal N ofrece protección ESD interna y puede ser impulsado por señales lógicas tan bajas como 1,5 V, mientras que el canal P está diseñado para ser utilizado en aplicaciones de conmutación de carga. El canal P también diseñado con la tecnología de trinchera ON semi.
MOSFET Transistors, ON Semiconductor
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€ 19,64
€ 0,786 Each (In a Pack of 25) (Sin IVA)
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25
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| Cantidad | Precio Unitario sin IVA | Per Pack |
|---|---|---|
| 25 - 75 | € 0,786 | € 19,64 |
| 100 - 225 | € 0,677 | € 16,94 |
| 250+ | € 0,587 | € 14,68 |
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Tipo de Encapsulado
ECH
Tipo de montaje
Montaje superficial
Conteo de Pines
8
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
24 mΩ, 39 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
2.6V
Disipación de Potencia Máxima
1.3 W
Configuración de transistor
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Tensión Máxima Puerta-Fuente
-20 V, +20 V
Profundidad
2.3mm
Material del transistor
Si
Número de Elementos por Chip
2
Longitud
2.9mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
11,8 nC a 10 V
Temperatura máxima de funcionamiento
+150 ºC
Altura
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El NTJD1155L es un MOSFET de doble canal. Con los canales P y N en un solo paquete, este MOSFET es brillante para la señal de control baja, tensiones de batería bajas y corrientes de carga altas. El canal N ofrece protección ESD interna y puede ser impulsado por señales lógicas tan bajas como 1,5 V, mientras que el canal P está diseñado para ser utilizado en aplicaciones de conmutación de carga. El canal P también diseñado con la tecnología de trinchera ON semi.
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