Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
onsemiTipo de Transistor
NPN
Corriente DC Máxima del Colector
1.5 A
Tensión Máxima Colector-Emisor
80 V
Tipo de Encapsulado
TO-126
Tipo de montaje
Through Hole
Disipación de Potencia Máxima
12.5 W
Configuración de transistor
Single
Tensión Base Máxima del Colector
80 V
Tensión Máxima Emisor-Base
5 V
Conteo de Pines
3
Número de Elementos por Chip
1
Dimensiones
8 x 3.25 x 11mm
Temperatura máxima de funcionamiento
+150 ºC
Datos del producto
Transistores NPN de pequeña señal, 60 V a 100 V, Fairchild Semiconductor
Bipolar Transistors, Fairchild Semiconductor
Bipolar Junction Transistors (BJT) broad range provides complete solutions for various circuit application needs. Innovative packages are designed for minimal size, highest reliability and maximum thermal performance.
Price on asking
Each (In a Pack of 10) (Sin IVA)
Estándar
10
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Tensión Máxima Colector-Emisor
80 V
Tipo de Encapsulado
TO-126
Tipo de montaje
Through Hole
Disipación de Potencia Máxima
12.5 W
Configuración de transistor
Single
Tensión Base Máxima del Colector
80 V
Tensión Máxima Emisor-Base
5 V
Conteo de Pines
3
Número de Elementos por Chip
1
Dimensiones
8 x 3.25 x 11mm
Temperatura máxima de funcionamiento
+150 ºC
Datos del producto
Transistores NPN de pequeña señal, 60 V a 100 V, Fairchild Semiconductor
Bipolar Transistors, Fairchild Semiconductor
Bipolar Junction Transistors (BJT) broad range provides complete solutions for various circuit application needs. Innovative packages are designed for minimal size, highest reliability and maximum thermal performance.