MOSFET onsemi 2N7002KW, VDSS 60 V, ID 300 mA, SOT-323 de 3 pines, , config. Simple
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
onsemiTipo de Canal
N
Corriente Máxima Continua de Drenaje
300 mA
Tensión Máxima Drenador-Fuente
60 V
Tipo de Encapsulado
SOT-323
Tipo de montaje
Montaje superficial
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
4.8 Ω
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta mínima
1.1V
Disipación de Potencia Máxima
350 mW
Configuración de transistor
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
-20 V, +20 V
Longitud
2.92mm
Temperatura máxima de funcionamiento
+150 ºC
Número de Elementos por Chip
1
Profundidad
1.3mm
Material del transistor
Si
Altura
1.2mm
Temperatura de Funcionamiento Mínima
-55 °C
Datos del producto
MOSFET de canal N para modo de mejora, Fairchild Semiconductor
Los transistores de efecto de campo (FET) para modo de mejora se producen utilizando la exclusiva tecnología DMOS de alta densidad celular de Fairchild. Este proceso de alta densidad se ha diseñado para minimizar la resistencia en funcionamiento, proporcionar un rendimiento fiable y resistente y una conmutación rápida.
MOSFET Transistors, ON Semi
ON Semi offers a substantial portfolio of MOSFET devices that includes high-voltage (>250V) and low-voltage (<250V) types. The advanced silicon technology provides smaller die sizes, which it is incorporated into multiple industry-standard and thermally-enhanced packages.
ON Semi MOSFETs provide superior design reliability from reduced voltage spikes and overshoot, to lower junction capacitance and reverse recovery charge, to elimination of additional external components to keep systems up and running longer.
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€ 11,26
€ 0,113 Each (Supplied as a Tape) (Sin IVA)
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100
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| Cantidad | Precio Unitario sin IVA | Per Cinta |
|---|---|---|
| 100 - 400 | € 0,113 | € 11,26 |
| 500 - 900 | € 0,097 | € 9,74 |
| 1000+ | € 0,084 | € 8,45 |
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Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
4.8 Ω
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta mínima
1.1V
Disipación de Potencia Máxima
350 mW
Configuración de transistor
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
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Longitud
2.92mm
Temperatura máxima de funcionamiento
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Número de Elementos por Chip
1
Profundidad
1.3mm
Material del transistor
Si
Altura
1.2mm
Temperatura de Funcionamiento Mínima
-55 °C
Datos del producto
MOSFET de canal N para modo de mejora, Fairchild Semiconductor
Los transistores de efecto de campo (FET) para modo de mejora se producen utilizando la exclusiva tecnología DMOS de alta densidad celular de Fairchild. Este proceso de alta densidad se ha diseñado para minimizar la resistencia en funcionamiento, proporcionar un rendimiento fiable y resistente y una conmutación rápida.
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