Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
onsemiTipo de Canal
N
Corriente Máxima Continua de Drenaje
200 mA
Tensión Máxima Drenador-Fuente
60 V
Tipo de Encapsulado
TO-92
Tipo de montaje
Through Hole
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
9 Ω
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
3V
Tensión de umbral de puerta mínima
0.8V
Disipación de Potencia Máxima
400 mW
Configuración de transistor
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±20 V
Número de Elementos por Chip
1
Profundidad
4.19mm
Longitud
5.2mm
Temperatura máxima de funcionamiento
+150 ºC
Temperatura de Funcionamiento Mínima
-55 °C
Tensión de diodo directa
1.5V
Altura
5.33mm
País de Origen
China
€ 197,29
€ 0,099 Each (On a Reel of 2000) (Sin IVA)
2000
€ 197,29
€ 0,099 Each (On a Reel of 2000) (Sin IVA)
2000
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Cantidad | Precio Unitario sin IVA | Per Rollo |
---|---|---|
2000 - 4000 | € 0,099 | € 197,29 |
6000 - 8000 | € 0,096 | € 192,54 |
10000+ | € 0,094 | € 187,78 |
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
onsemiTipo de Canal
N
Corriente Máxima Continua de Drenaje
200 mA
Tensión Máxima Drenador-Fuente
60 V
Tipo de Encapsulado
TO-92
Tipo de montaje
Through Hole
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
9 Ω
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
3V
Tensión de umbral de puerta mínima
0.8V
Disipación de Potencia Máxima
400 mW
Configuración de transistor
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±20 V
Número de Elementos por Chip
1
Profundidad
4.19mm
Longitud
5.2mm
Temperatura máxima de funcionamiento
+150 ºC
Temperatura de Funcionamiento Mínima
-55 °C
Tensión de diodo directa
1.5V
Altura
5.33mm
País de Origen
China