Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
onsemiTipo de Transistor
NPN
Corriente Máxima Continua del Colector
10 A dc
Tensión Máxima Colector-Emisor
60 V dc
Tensión Máxima Emisor-Base
5 V dc
Tipo de Encapsulado
TO-220
Tipo de montaje
Through Hole
Conteo de Pines
3
Configuración de transistor
Single
Configuración
Single
Número de Elementos por Chip
1
Ganancia Mínima de Corriente DC
1000
Tensión Base Máxima del Colector
60 V dc
Tensión de Saturación Máxima Colector-Emisor
3 V dc
Altura
15.75mm
Profundidad
4.83mm
Disipación de Potencia Máxima
65 W
Mínima Temperatura de Funcionamiento
-65 °C
Dimensiones
10.53 x 4.83 x 15.75mm
Temperatura máxima de funcionamiento
+150 ºC
Longitud
10.53mm
País de Origen
China
€ 10,04
€ 1,004 Each (Supplied in a Tube) (Sin IVA)
Empaque de Producción (Tubo)
10
€ 10,04
€ 1,004 Each (Supplied in a Tube) (Sin IVA)
Empaque de Producción (Tubo)
10
Información de stock no disponible temporalmente.
Vuelva a verificar más tarde.
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
onsemiTipo de Transistor
NPN
Corriente Máxima Continua del Colector
10 A dc
Tensión Máxima Colector-Emisor
60 V dc
Tensión Máxima Emisor-Base
5 V dc
Tipo de Encapsulado
TO-220
Tipo de montaje
Through Hole
Conteo de Pines
3
Configuración de transistor
Single
Configuración
Single
Número de Elementos por Chip
1
Ganancia Mínima de Corriente DC
1000
Tensión Base Máxima del Colector
60 V dc
Tensión de Saturación Máxima Colector-Emisor
3 V dc
Altura
15.75mm
Profundidad
4.83mm
Disipación de Potencia Máxima
65 W
Mínima Temperatura de Funcionamiento
-65 °C
Dimensiones
10.53 x 4.83 x 15.75mm
Temperatura máxima de funcionamiento
+150 ºC
Longitud
10.53mm
País de Origen
China