MOSFET Nexperia PSMN0R9-25YLC,115, VDSS 25 V, ID 100 A, LFPAK, SOT-669 de 4 pines, , config. Simple
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
NexperiaTipo de Canal
N
Corriente Máxima Continua de Drenaje
100 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
25 V
Tipo de Encapsulado
LFPAK, SOT-669
Tipo de montaje
Montaje superficial
Conteo de Pines
4
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
1.25 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
1.95V
Tensión de umbral de puerta mínima
1.05V
Disipación de Potencia Máxima
272 W
Configuración de transistor
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
-20 V, +20 V
Profundidad
4.1mm
Material del transistor
Si
Número de Elementos por Chip
1
Longitud
5mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
110 nC a 10 V
Temperatura máxima de funcionamiento
+175 °C
Altura
1.1mm
Temperatura de Funcionamiento Mínima
-55 °C
Datos del producto
MOSFET de canal N, hasta 30V
MOSFET Transistors, NXP Semiconductors
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€ 6,06
€ 2,02 Each (In a Pack of 3) (Sin IVA)
Estándar
3
€ 6,06
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| Cantidad | Precio Unitario sin IVA | Per Pack |
|---|---|---|
| 3 - 27 | € 2,02 | € 6,06 |
| 30 - 72 | € 1,862 | € 5,59 |
| 75 - 147 | € 1,744 | € 5,23 |
| 150 - 297 | € 1,604 | € 4,81 |
| 300+ | € 1,474 | € 4,42 |
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Tensión Máxima Drenador-Fuente
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Tipo de Encapsulado
LFPAK, SOT-669
Tipo de montaje
Montaje superficial
Conteo de Pines
4
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
1.25 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
1.95V
Tensión de umbral de puerta mínima
1.05V
Disipación de Potencia Máxima
272 W
Configuración de transistor
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
-20 V, +20 V
Profundidad
4.1mm
Material del transistor
Si
Número de Elementos por Chip
1
Longitud
5mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
110 nC a 10 V
Temperatura máxima de funcionamiento
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