MOSFET Nexperia PMV48XP,215, VDSS 20 V, ID 3,5 A, SOT-23 de 3 pines, , config. Simple
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
NexperiaTipo de Canal
P
Corriente Máxima Continua de Drenaje
3.5 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
20 (canal N) V, -20 (canal P) V
Tipo de Encapsulado
SOT-23-5
Tipo de montaje
Montaje superficial
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
55 m.Ω
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
1.25V
Tensión de umbral de puerta mínima
0.75V
Disipación de Potencia Máxima
415 mW
Configuración de transistor
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±12 V
Temperatura Máxima de Operación
+150 ºC
Profundidad
1.4mm
Material del transistor
Si
Número de Elementos por Chip
1
Longitud
3mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
8,5 nC a 4,5 V
Altura
1mm
Mínima Temperatura de Funcionamiento
-55 °C
País de Origen
China
Datos del producto
MOSFET de canal P, Nexperia
MOSFET Transistors, NXP Semiconductors
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€ 27,03
€ 0,451 Each (Supplied on a Reel) (Sin IVA)
Empaque de Producción (Rollo)
60
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Empaque de Producción (Rollo)
60
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| Cantidad | Precio Unitario sin IVA | Per Rollo |
|---|---|---|
| 60 - 120 | € 0,451 | € 13,52 |
| 150 - 270 | € 0,285 | € 8,55 |
| 300 - 570 | € 0,222 | € 6,65 |
| 600+ | € 0,174 | € 5,21 |
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P
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3.5 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
20 (canal N) V, -20 (canal P) V
Tipo de Encapsulado
SOT-23-5
Tipo de montaje
Montaje superficial
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
55 m.Ω
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
1.25V
Tensión de umbral de puerta mínima
0.75V
Disipación de Potencia Máxima
415 mW
Configuración de transistor
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±12 V
Temperatura Máxima de Operación
+150 ºC
Profundidad
1.4mm
Material del transistor
Si
Número de Elementos por Chip
1
Longitud
3mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
8,5 nC a 4,5 V
Altura
1mm
Mínima Temperatura de Funcionamiento
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