MOSFET Nexperia PMV16XNR, VDSS 20 V, ID 8,6 A, TO-236 de 3 pines, , config. Simple
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
NexperiaTipo de Canal
N
Corriente Máxima Continua de Drenaje
8.6 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
20 (canal N) V, -20 (canal P) V
Series
PMV16XN
Tipo de Encapsulado
TO-236
Tipo de montaje
Montaje superficial
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
33 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
0.9V
Tensión de umbral de puerta mínima
0.4V
Disipación de Potencia Máxima
6.94 W
Configuración de transistor
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
12 V
Número de Elementos por Chip
1
Profundidad
1.4mm
Longitud
3mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
13,4 nC a 4,5 V
Temperatura máxima de funcionamiento
+150 ºC
Temperatura de Funcionamiento Mínima
-55 °C
Altura
1mm
País de Origen
China
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€ 14,68
€ 0,294 Each (In a Pack of 50) (Sin IVA)
Estándar
50
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| Cantidad | Precio Unitario sin IVA | Per Pack |
|---|---|---|
| 50 - 200 | € 0,294 | € 14,68 |
| 250 - 450 | € 0,135 | € 6,77 |
| 500 - 1200 | € 0,128 | € 6,42 |
| 1250 - 2450 | € 0,114 | € 5,70 |
| 2500+ | € 0,111 | € 5,53 |
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N
Corriente Máxima Continua de Drenaje
8.6 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
20 (canal N) V, -20 (canal P) V
Series
PMV16XN
Tipo de Encapsulado
TO-236
Tipo de montaje
Montaje superficial
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
33 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
0.9V
Tensión de umbral de puerta mínima
0.4V
Disipación de Potencia Máxima
6.94 W
Configuración de transistor
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
12 V
Número de Elementos por Chip
1
Profundidad
1.4mm
Longitud
3mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
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Temperatura máxima de funcionamiento
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