MOSFET Nexperia BSS84AKS,115, VDSS 50 V, ID 160 mA, SOT-363 de 6 pines, 2elementos, config. Aislado

Código de producto RS: 792-0917Marca: NexperiaNúmero de parte de fabricante: BSS84AKS
brand-logo
Ver todo en MOSFETs

Documentos Técnicos

Especificaciones

Tipo de Canal

P

Corriente Máxima Continua de Drenaje

160 mA

Tensión Máxima Drenador-Fuente

50 V

Tipo de Encapsulado

SOT-363

Tipo de montaje

Montaje superficial

Conteo de Pines

6

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

7.5 Ω

Modo de Canal

Mejora

Tensión de umbral de puerta máxima

2.1V

Tensión de umbral de puerta mínima

1.1V

Disipación de Potencia Máxima

320 mW

Configuración de transistor

Isolated

Tensión Máxima Puerta-Fuente

-20 V, +20 V

Material del transistor

Si

Profundidad

1.35mm

Número de Elementos por Chip

2

Longitud

2.2mm

Carga Típica de Puerta @ Vgs

0,26 nC a 5 V

Temperatura máxima de funcionamiento

+150 ºC

Altura

1mm

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55 °C

Datos del producto

MOSFET de canal P doble, Nexperia

MOSFET Transistors, NXP Semiconductors

Ideate. Create. Collaborate

JOIN FOR FREE

No hidden fees!

design-spark
design-spark
  • Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
  • View and contribute website content and forums
  • Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Click here to find out more
Información de stock no disponible temporalmente.

€ 3,73

€ 0,124 Each (Supplied as a Tape) (Sin IVA)

MOSFET Nexperia BSS84AKS,115, VDSS 50 V, ID 160 mA, SOT-363 de 6 pines, 2elementos, config. Aislado
Seleccionar tipo de embalaje

€ 3,73

€ 0,124 Each (Supplied as a Tape) (Sin IVA)

MOSFET Nexperia BSS84AKS,115, VDSS 50 V, ID 160 mA, SOT-363 de 6 pines, 2elementos, config. Aislado
Información de stock no disponible temporalmente.
Seleccionar tipo de embalaje

Información de stock no disponible temporalmente.

Vuelva a verificar más tarde.

Ideate. Create. Collaborate

JOIN FOR FREE

No hidden fees!

design-spark
design-spark
  • Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
  • View and contribute website content and forums
  • Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Click here to find out more

Documentos Técnicos

Especificaciones

Tipo de Canal

P

Corriente Máxima Continua de Drenaje

160 mA

Tensión Máxima Drenador-Fuente

50 V

Tipo de Encapsulado

SOT-363

Tipo de montaje

Montaje superficial

Conteo de Pines

6

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

7.5 Ω

Modo de Canal

Mejora

Tensión de umbral de puerta máxima

2.1V

Tensión de umbral de puerta mínima

1.1V

Disipación de Potencia Máxima

320 mW

Configuración de transistor

Isolated

Tensión Máxima Puerta-Fuente

-20 V, +20 V

Material del transistor

Si

Profundidad

1.35mm

Número de Elementos por Chip

2

Longitud

2.2mm

Carga Típica de Puerta @ Vgs

0,26 nC a 5 V

Temperatura máxima de funcionamiento

+150 ºC

Altura

1mm

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55 °C

Datos del producto

MOSFET de canal P doble, Nexperia

MOSFET Transistors, NXP Semiconductors

Ideate. Create. Collaborate

JOIN FOR FREE

No hidden fees!

design-spark
design-spark
  • Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
  • View and contribute website content and forums
  • Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Click here to find out more