Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
MagnatecTipo de Canal
P
Corriente Máxima Continua de Drenaje
3.5 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
-200 V
Tipo de Encapsulado
TO-220AB
Tipo de montaje
Through Hole
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
1.5 Ω
Modo de Canal
Mejora
Disipación de Potencia Máxima
40 W
Tensión Máxima Puerta-Fuente
-20 V, +20 V
Número de Elementos por Chip
1
Temperatura máxima de funcionamiento
+150 ºC
Longitud
10.67mm
Profundidad
4.83mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
22 nC a 10 V
Temperatura Mínima de Operación
-55 °C
Altura
9.02mm
Datos del producto
MOSFETs - P-Channel
The Metal–Oxide–Semiconductor Field-Effect Transistor or MOSFET is a transistor used for amplifying or switching electronic signals.A voltage on the oxide-insulated Gate electrode can induce a conducting channel between the two other contacts called Source and Drain. The channel can be of N-type or P-type.
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1
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MagnatecTipo de Canal
P
Corriente Máxima Continua de Drenaje
3.5 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
-200 V
Tipo de Encapsulado
TO-220AB
Tipo de montaje
Through Hole
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
1.5 Ω
Modo de Canal
Mejora
Disipación de Potencia Máxima
40 W
Tensión Máxima Puerta-Fuente
-20 V, +20 V
Número de Elementos por Chip
1
Temperatura máxima de funcionamiento
+150 ºC
Longitud
10.67mm
Profundidad
4.83mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
22 nC a 10 V
Temperatura Mínima de Operación
-55 °C
Altura
9.02mm
Datos del producto
MOSFETs - P-Channel
The Metal–Oxide–Semiconductor Field-Effect Transistor or MOSFET is a transistor used for amplifying or switching electronic signals.A voltage on the oxide-insulated Gate electrode can induce a conducting channel between the two other contacts called Source and Drain. The channel can be of N-type or P-type.