Transistor MOSFET Magnatec IRF9620, VDSS 200 V, ID 3,5 A, TO-220AB de 3 pines

Código de producto RS: 139-811Marca: MagnatecNúmero de parte de fabricante: IRF9620
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Documentos Técnicos

Especificaciones

Tipo de Canal

P

Corriente Máxima Continua de Drenaje

3.5 A

Tensión Máxima Drenador-Fuente

-200 V

Tipo de Encapsulado

TO-220AB

Tipo de montaje

Through Hole

Conteo de Pines

3

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

1.5 Ω

Modo de Canal

Mejora

Disipación de Potencia Máxima

40 W

Tensión Máxima Puerta-Fuente

-20 V, +20 V

Número de Elementos por Chip

1

Temperatura máxima de funcionamiento

+150 ºC

Longitud

10.67mm

Profundidad

4.83mm

Carga Típica de Puerta @ Vgs

22 nC a 10 V

Temperatura Mínima de Operación

-55 °C

Altura

9.02mm

Datos del producto

MOSFETs - P-Channel

The Metal–Oxide–Semiconductor Field-Effect Transistor or MOSFET is a transistor used for amplifying or switching electronic signals.A voltage on the oxide-insulated Gate electrode can induce a conducting channel between the two other contacts called Source and Drain. The channel can be of N-type or P-type.

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Temperatura Mínima de Operación

-55 °C

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The Metal–Oxide–Semiconductor Field-Effect Transistor or MOSFET is a transistor used for amplifying or switching electronic signals.A voltage on the oxide-insulated Gate electrode can induce a conducting channel between the two other contacts called Source and Drain. The channel can be of N-type or P-type.

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