MOSFET IXYS IXTN62N50L, VDSS 500 V, ID 62 A, SOT-227 de 4 pines, , config. Simple
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
IXYSTipo de Canal
N
Corriente Máxima Continua de Drenaje
62 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
500 V
Series
Linear
Tipo de Encapsulado
SOT-227
Tipo de montaje
Screw Mount
Conteo de Pines
4
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
100 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
5V
Disipación de Potencia Máxima
800000 mW
Configuración de transistor
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
-30 V, +30 V
Profundidad
25.42mm
Longitud
38.23mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
550 nC a 20 V
Material del transistor
Si
Temperatura máxima de funcionamiento
+150 ºC
Número de Elementos por Chip
1
Altura
9.6mm
Temperatura Mínima de Operación
-55 °C
País de Origen
United States
Datos del producto
MOSFET de potencia de canal N, IXYS serie Linear
MOSFET de potencia de canal N diseñados específicamente para un funcionamiento lineal. Estos dispositivos ofrecen una mayor zona de funcionamiento seguro con polarización directa (FBSOA) para aumentar la resistencia y fiabilidad.
MOSFET Transistors, IXYS
A wide range of advanced discrete Power MOSFET devices from IXYS
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€ 626,47
€ 62,647 Each (In a Tube of 10) (Sin IVA)
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5V
Disipación de Potencia Máxima
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Profundidad
25.42mm
Longitud
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Carga Típica de Puerta @ Vgs
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Si
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Número de Elementos por Chip
1
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