MOSFET IXYS IXTH34N65X2, VDSS 650 V, ID 34 A, TO-247 de 3 pines, , config. Simple
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
IXYSTipo de Canal
N
Corriente Máxima Continua de Drenaje
34 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
650 V
Series
X2-Class
Tipo de Encapsulado
TO-247
Tipo de montaje
Through Hole
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
96 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
5V
Tensión de umbral de puerta mínima
3V
Disipación de Potencia Máxima
540 W
Configuración de transistor
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
-30 V, +30 V
Número de Elementos por Chip
1
Profundidad
21.45mm
Longitud
16.24mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
54 nC a 10 V
Material del transistor
Si
Temperatura máxima de funcionamiento
+150 ºC
Altura
5.3mm
Tensión de diodo directa
1.4V
Temperatura de Funcionamiento Mínima
-55 °C
País de Origen
United States
Datos del producto
MOSFET de potencia de canal N, serie IXYS clase X2
La serie de MOSFET de potencia IXYS clase X2 ofrece una carga de resistencia y compuerta significativamente menor que las generaciones anteriores de MOSFET de potencia. En consecuencia, las pérdidas son menores y la eficiencia operativa es mayor. Estos sólidos dispositivos tienen un diodo intrínseco y son adecuados para aplicaciones de modo resonante y conmutación dura. Los MOSFET de potencia de la clase X2 están disponibles en diversos paquetes estándar del sector, incluidos los tipos aislados, con valores nominales de hasta 120 A a 650 V. Las aplicaciones típicas incluyen convertidores dc-dc, unidades motrices ac y dc, fuentes de alimentación de modo conmutado y modo resonante, choppers dc, inversores solares y control de iluminación y temperatura.
Bajo nivel de RDS(on) y QG (carga de compuerta)
Diodo rectificador intrínseco
Baja resistencia de compuerta intrínseca
Baja inductancia de encapsulado
Encapsulados estándar del sector
MOSFET Transistors, IXYS
A wide range of advanced discrete Power MOSFET devices from IXYS
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€ 149,04
€ 4,968 Each (In a Tube of 30) (Sin IVA)
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Tipo de Encapsulado
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Tipo de montaje
Through Hole
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
96 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
5V
Tensión de umbral de puerta mínima
3V
Disipación de Potencia Máxima
540 W
Configuración de transistor
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
-30 V, +30 V
Número de Elementos por Chip
1
Profundidad
21.45mm
Longitud
16.24mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
54 nC a 10 V
Material del transistor
Si
Temperatura máxima de funcionamiento
+150 ºC
Altura
5.3mm
Tensión de diodo directa
1.4V
Temperatura de Funcionamiento Mínima
-55 °C
País de Origen
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Datos del producto
MOSFET de potencia de canal N, serie IXYS clase X2
La serie de MOSFET de potencia IXYS clase X2 ofrece una carga de resistencia y compuerta significativamente menor que las generaciones anteriores de MOSFET de potencia. En consecuencia, las pérdidas son menores y la eficiencia operativa es mayor. Estos sólidos dispositivos tienen un diodo intrínseco y son adecuados para aplicaciones de modo resonante y conmutación dura. Los MOSFET de potencia de la clase X2 están disponibles en diversos paquetes estándar del sector, incluidos los tipos aislados, con valores nominales de hasta 120 A a 650 V. Las aplicaciones típicas incluyen convertidores dc-dc, unidades motrices ac y dc, fuentes de alimentación de modo conmutado y modo resonante, choppers dc, inversores solares y control de iluminación y temperatura.
Bajo nivel de RDS(on) y QG (carga de compuerta)
Diodo rectificador intrínseco
Baja resistencia de compuerta intrínseca
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