MOSFET IXYS IXFP7N80P, VDSS 800 V, ID 7 A, TO-220 de 3 pines, , config. Simple
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
IXYSTipo de Canal
N
Corriente Máxima Continua de Drenaje
7 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
800 V
Tipo de Encapsulado
TO-220
Series
HiperFET, Polar
Tipo de montaje
Through Hole
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
1,44 Ω
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
5V
Disipación de Potencia Máxima
200 W
Configuración de transistor
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
-30 V, +30 V
Material del transistor
Si
Número de Elementos por Chip
1
Longitud
10.66mm
Temperatura máxima de funcionamiento
+150 ºC
Carga Típica de Puerta @ Vgs
32 nC a 10 V
Profundidad
4.83mm
Altura
9.15mm
Temperatura de Funcionamiento Mínima
-55 °C
Datos del producto
MOSFET de potencia de canal N, IXYS HiperFET™ serie Polar™
MOSFET de potencia de canal N con diodo rápido intrínseco (HiPerFET™) de IXYS
MOSFET Transistors, IXYS
A wide range of advanced discrete Power MOSFET devices from IXYS
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€ 23,14
€ 4,628 Each (In a Pack of 5) (Sin IVA)
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5
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| Cantidad | Precio Unitario sin IVA | Per Pack |
|---|---|---|
| 5 - 20 | € 4,628 | € 23,14 |
| 25 - 95 | € 3,532 | € 17,66 |
| 100 - 245 | € 3,337 | € 16,69 |
| 250 - 495 | € 2,85 | € 14,25 |
| 500+ | € 2,684 | € 13,42 |
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Tipo de Encapsulado
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Series
HiperFET, Polar
Tipo de montaje
Through Hole
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
1,44 Ω
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
5V
Disipación de Potencia Máxima
200 W
Configuración de transistor
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
-30 V, +30 V
Material del transistor
Si
Número de Elementos por Chip
1
Longitud
10.66mm
Temperatura máxima de funcionamiento
+150 ºC
Carga Típica de Puerta @ Vgs
32 nC a 10 V
Profundidad
4.83mm
Altura
9.15mm
Temperatura de Funcionamiento Mínima
-55 °C
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