MOSFET IXYS IXFN140N30P, VDSS 300 V, ID 115 A, SOT-227 de 4 pines, , config. Simple
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
IXYSTipo de Canal
N
Corriente Máxima Continua de Drenaje
115 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
300 V
Tipo de Encapsulado
SOT-227
Series
HiperFET, Polar
Tipo de montaje
Screw Mount
Conteo de Pines
4
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
24 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
5V
Disipación de Potencia Máxima
700000 mW
Configuración de transistor
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
-20 V, +20 V
Profundidad
25.07mm
Material del transistor
Si
Número de Elementos por Chip
1
Longitud
38.2mm
Temperatura máxima de funcionamiento
+150 ºC
Carga Típica de Puerta @ Vgs
185 nC a 10 V
Altura
9.6mm
Temperatura Mínima de Operación
-55 °C
Datos del producto
MOSFET de potencia de canal N, IXYS HiperFET™ serie Polar™
MOSFET de potencia de canal N con diodo rápido intrínseco (HiPerFET™) de IXYS
MOSFET Transistors, IXYS
A wide range of advanced discrete Power MOSFET devices from IXYS
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€ 31,22
€ 31,22 Each (Sin IVA)
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1
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| Cantidad | Precio Unitario sin IVA |
|---|---|
| 1 - 1 | € 31,22 |
| 2 - 4 | € 30,60 |
| 5+ | € 29,65 |
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Conteo de Pines
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Resistencia Máxima Drenador-Fuente
24 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
5V
Disipación de Potencia Máxima
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Tensión Máxima Puerta-Fuente
-20 V, +20 V
Profundidad
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Material del transistor
Si
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1
Longitud
38.2mm
Temperatura máxima de funcionamiento
+150 ºC
Carga Típica de Puerta @ Vgs
185 nC a 10 V
Altura
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Temperatura Mínima de Operación
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