MOSFET IXYS IXFH26N60P, VDSS 600 V, ID 26 A, TO-247 de 3 pines, , config. Simple
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
IXYSTipo de Canal
N
Corriente Máxima Continua de Drenaje
26 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
600 V
Series
HiperFET, Polar
Tipo de Encapsulado
TO-247
Tipo de montaje
Through Hole
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
270 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
5V
Disipación de Potencia Máxima
460000 mW
Configuración de transistor
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
-30 V, +30 V
Carga Típica de Puerta @ Vgs
72 nC a 10 V
Material del transistor
Si
Número de Elementos por Chip
1
Longitud
16.26mm
Temperatura máxima de funcionamiento
+150 ºC
Profundidad
5.3mm
Temperatura Mínima de Operación
-55 °C
Altura
21.46mm
Datos del producto
MOSFET de potencia de canal N, IXYS HiperFET™ serie Polar™
MOSFET de potencia de canal N con diodo rápido intrínseco (HiPerFET™) de IXYS
MOSFET Transistors, IXYS
A wide range of advanced discrete Power MOSFET devices from IXYS
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€ 9,98
€ 9,98 Each (Sin IVA)
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| Cantidad | Precio Unitario sin IVA |
|---|---|
| 1 - 5 | € 9,98 |
| 6 - 14 | € 8,62 |
| 15+ | € 8,19 |
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Conteo de Pines
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Resistencia Máxima Drenador-Fuente
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Mejora
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5V
Disipación de Potencia Máxima
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Tensión Máxima Puerta-Fuente
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Si
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Longitud
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Temperatura máxima de funcionamiento
+150 ºC
Profundidad
5.3mm
Temperatura Mínima de Operación
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Altura
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