MOSFET IXYS IXFH110N10P, VDSS 100 V, ID 110 A, TO-247 de 3 pines, , config. Simple

Código de producto RS: 193-492Marca: IXYSNúmero de parte de fabricante: IXFH110N10PDistrelec Article No.: 30253306
brand-logo
Ver todo en MOSFETs

Documentos Técnicos

Especificaciones

Brand

IXYS

Tipo de Canal

N

Corriente Máxima Continua de Drenaje

110 A

Tensión Máxima Drenador-Fuente

100 V

Tipo de Encapsulado

TO-247

Series

HiperFET, Polar

Tipo de montaje

Through Hole

Conteo de Pines

3

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

15 m.Ω

Modo de Canal

Mejora

Tensión de umbral de puerta máxima

5V

Disipación de Potencia Máxima

480000 mW

Configuración de transistor

Single

Tensión Máxima Puerta-Fuente

-20 V, +20 V

Material del transistor

Si

Número de Elementos por Chip

1

Longitud

16.26mm

Máxima Temperatura de Funcionamiento

+175 °C

Carga Típica de Puerta @ Vgs

110 nC a 10 V

Profundidad

5.3mm

Altura

21.46mm

Temperatura Mínima de Funcionamiento

-55 °C

Datos del producto

MOSFET de potencia de canal N, IXYS HiperFET™ serie Polar™

MOSFET de potencia de canal N con diodo rápido intrínseco (HiPerFET™) de IXYS

MOSFET Transistors, IXYS

A wide range of advanced discrete Power MOSFET devices from IXYS

Ideate. Create. Collaborate

JOIN FOR FREE

No hidden fees!

design-spark
design-spark
  • Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
  • View and contribute website content and forums
  • Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Click here to find out more

€ 6,45

€ 6,45 Each (Sin IVA)

MOSFET IXYS IXFH110N10P, VDSS 100 V, ID 110 A, TO-247 de 3 pines, , config. Simple
Seleccionar tipo de embalaje

Estándar

Seleccionar tipo de embalaje

Estándar - each

Disponible en múltiplos de 1.

Producción -

Disponible en múltiplos de 1.

Recomendado para pedidos en grandes cantidades. Los artículos se empaquetan listos para insertarlos en la maquinaria, lo que le permite mejorar la eficiencia de la producción.

1

Disponible en múltiplos de 1
1€ 6,45
2€ 12,90
3€ 19,35
4€ 25,81
5€ 30,12
6€ 36,15
7€ 42,17
8€ 48,20
9€ 54,22
10€ 60,24
11€ 66,27
12€ 72,29
13€ 78,32
14€ 84,34
15€ 90,37

€ 6,45

€ 6,45 Each (Sin IVA)

MOSFET IXYS IXFH110N10P, VDSS 100 V, ID 110 A, TO-247 de 3 pines, , config. Simple

Información de stock no disponible temporalmente.

Seleccionar tipo de embalaje

Estándar

Seleccionar tipo de embalaje

Estándar - each

Disponible en múltiplos de 1.

Producción -

Disponible en múltiplos de 1.

Recomendado para pedidos en grandes cantidades. Los artículos se empaquetan listos para insertarlos en la maquinaria, lo que le permite mejorar la eficiencia de la producción.

1

Disponible en múltiplos de 1
1€ 6,45
2€ 12,90
3€ 19,35
4€ 25,81
5€ 30,12
6€ 36,15
7€ 42,17
8€ 48,20
9€ 54,22
10€ 60,24
11€ 66,27
12€ 72,29
13€ 78,32
14€ 84,34
15€ 90,37

Información de stock no disponible temporalmente.

CantidadPrecio Unitario sin IVA
1 - 4€ 6,45
5 - 19€ 6,02
20 - 49€ 5,66
50 - 99€ 4,19
100+€ 4,10

Ideate. Create. Collaborate

JOIN FOR FREE

No hidden fees!

design-spark
design-spark
  • Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
  • View and contribute website content and forums
  • Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Click here to find out more

Documentos Técnicos

Especificaciones

Brand

IXYS

Tipo de Canal

N

Corriente Máxima Continua de Drenaje

110 A

Tensión Máxima Drenador-Fuente

100 V

Tipo de Encapsulado

TO-247

Series

HiperFET, Polar

Tipo de montaje

Through Hole

Conteo de Pines

3

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

15 m.Ω

Modo de Canal

Mejora

Tensión de umbral de puerta máxima

5V

Disipación de Potencia Máxima

480000 mW

Configuración de transistor

Single

Tensión Máxima Puerta-Fuente

-20 V, +20 V

Material del transistor

Si

Número de Elementos por Chip

1

Longitud

16.26mm

Máxima Temperatura de Funcionamiento

+175 °C

Carga Típica de Puerta @ Vgs

110 nC a 10 V

Profundidad

5.3mm

Altura

21.46mm

Temperatura Mínima de Funcionamiento

-55 °C

Datos del producto

MOSFET de potencia de canal N, IXYS HiperFET™ serie Polar™

MOSFET de potencia de canal N con diodo rápido intrínseco (HiPerFET™) de IXYS

MOSFET Transistors, IXYS

A wide range of advanced discrete Power MOSFET devices from IXYS

Ideate. Create. Collaborate

JOIN FOR FREE

No hidden fees!

design-spark
design-spark
  • Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
  • View and contribute website content and forums
  • Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Click here to find out more