Transistor MOSFET International Rectifier IRLU024N, VDSS 55 V, ID 17 A, TO-251AA de 4 pines

Brand

Tipo de Canal

N

Corriente Máxima Continua de Drenaje

17 A

Tensión Máxima Drenador-Fuente

55 V

Tipo de Encapsulado

TO-251AA

Tipo de montaje

Through Hole

Conteo de Pines

4

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

118 mΩ

Modo de Canal

Mejora

Disipación de Potencia Máxima

45000 mW

Tensión Máxima Puerta-Fuente

±16 V

Carga Típica de Puerta @ Vgs

15 nC a 5 V

Número de Elementos por Chip

1

Máxima Temperatura de Funcionamiento

+175 °C

Longitud

6.73mm

Ancho

2.39mm

Series

HEXFET

Mínima Temperatura de Funcionamiento

-55 °C

Altura

7.49mm