MOSFET International Rectifier IRF7424TRPBF, VDSS 30 V, ID 11 A, SO-8 de 8 pines, , config. Simple
Documentos Técnicos
Especificaciones
Tipo de Canal
P
Corriente Máxima Continua de Drenaje
11 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
30 (canal N) V, -30 (canal P) V
Tipo de Encapsulado
SO-8
Series
IRF7424PbF
Tipo de montaje
Montaje superficial
Conteo de Pines
8
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
22 m.Ω
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
2.5V
Tensión de umbral de puerta mínima
1V
Disipación de Potencia Máxima
2.5 W
Configuración de transistor
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
20 V
Largo
5mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
75 nC a 10 V
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+150 ºC
Número de Elementos por Chip
1
Profundidad
4mm
Altura
1.5mm
Temperatura de Funcionamiento Mínima
-55 °C
Tensión de diodo directa
1.2V
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€ 51,74
€ 1,035 Each (Supplied on a Reel) (Sin IVA)
Empaque de Producción (Rollo)
50
€ 51,74
€ 1,035 Each (Supplied on a Reel) (Sin IVA)
Empaque de Producción (Rollo)
50
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| Cantidad | Precio Unitario sin IVA | Per Rollo |
|---|---|---|
| 50 - 90 | € 1,035 | € 10,35 |
| 100 - 240 | € 0,99 | € 9,90 |
| 250 - 490 | € 0,947 | € 9,47 |
| 500+ | € 0,882 | € 8,82 |
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P
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11 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
30 (canal N) V, -30 (canal P) V
Tipo de Encapsulado
SO-8
Series
IRF7424PbF
Tipo de montaje
Montaje superficial
Conteo de Pines
8
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
22 m.Ω
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
2.5V
Tensión de umbral de puerta mínima
1V
Disipación de Potencia Máxima
2.5 W
Configuración de transistor
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
20 V
Largo
5mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
75 nC a 10 V
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+150 ºC
Número de Elementos por Chip
1
Profundidad
4mm
Altura
1.5mm
Temperatura de Funcionamiento Mínima
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