MOSFET Infineon IRFZ46NPBF, VDSS 55 V, ID 53 A, TO-220AB de 3 pines, , config. Simple

Código de producto RS: 541-0711Marca: InfineonNúmero de parte de fabricante: IRFZ46NPBF
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Documentos Técnicos

Especificaciones

Brand

Infineon

Tipo de Canal

N

Corriente Máxima Continua de Drenaje

53 A

Tensión Máxima Drenador-Fuente

55 V

Series

HEXFET

Tipo de Encapsulado

TO-220AB

Tipo de montaje

Through Hole

Conteo de Pines

3

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

17 m.Ω

Modo de Canal

Mejora

Tensión de umbral de puerta máxima

4V

Tensión de umbral de puerta mínima

2V

Disipación de Potencia Máxima

107000 mW

Configuración de transistor

Single

Tensión Máxima Puerta-Fuente

-20 V, +20 V

Carga Típica de Puerta @ Vgs

72 nC a 10 V

Profundidad

4.82mm

Material del transistor

Si

Número de Elementos por Chip

1

Longitud

10.66mm

Temperatura máxima de funcionamiento

+175 °C

Altura

9.02mm

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55 °C

Tensión de diodo directa

1.3V

Datos del producto

MOSFET de potencia de canal N de 55V, Infineon

La gama de MOSFET de potencia HEXFET® discretos de Infineon incluye dispositivos de canal N de montaje en superficie y encapsulados de conexión y factores de forma que se pueden adaptar a la mayoría de diseños de placas y factores térmicos. La gama completa de referencia reduce las pérdidas en unidades de resistencia, lo que permite a los diseñadores proporcionar una eficiencia óptima del sistema.

MOSFET Transistors, Infineon

Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.

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Producción -

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2€ 1,69
3€ 2,53
4€ 3,38
5€ 4,22
6€ 5,07
7€ 5,91
8€ 6,76
9€ 7,60
10€ 8,45
11€ 9,29
12€ 10,14
13€ 10,98
14€ 11,83
15€ 12,67

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25 - 49€ 0,76
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17 m.Ω

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Mejora

Tensión de umbral de puerta máxima

4V

Tensión de umbral de puerta mínima

2V

Disipación de Potencia Máxima

107000 mW

Configuración de transistor

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Profundidad

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Material del transistor

Si

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Altura

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