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MOSFET Infineon IRFZ44EPBF, VDSS 60 V, ID 48 A, TO-220AB de 3 pines, , config. Simple

Código de producto RS: 919-4937Marca: InfineonNúmero de parte de fabricante: IRFZ44EPBF
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Documentos Técnicos

Especificaciones

Tipo de Canal

N

Corriente Máxima Continua de Drenaje

48 A

Tensión Máxima Drenador-Fuente

60 V

Series

HEXFET

Tipo de Encapsulado

TO-220AB

Tipo de montaje

Through Hole

Conteo de Pines

3

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

23 mΩ

Modo de Canal

Mejora

Tensión de umbral de puerta máxima

4V

Tensión de umbral de puerta mínima

2V

Disipación de Potencia Máxima

110 W

Configuración de transistor

Single

Tensión Máxima Puerta-Fuente

-20 V, +20 V

Material del transistor

Si

Número de Elementos por Chip

1

Carga Típica de Puerta @ Vgs

60 nC a 10 V

Temperatura Máxima de Operación

+175 °C

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55 °C

Altura

8.77mm

País de Origen

China

Datos del producto

MOSFET de potencia de canal N, 60 V a 80 V, Infineon

La gama de MOSFET de potencia HEXFET® discretos de Infineon incluye dispositivos de canal N de montaje en superficie y encapsulados de conexión. Y los factores de forma se pueden adaptar a casi cualquier disposición de placa y diseño térmico. La gama completa de referencia reduce las pérdidas en unidades de resistencia, lo que permite a los diseñadores proporcionar una eficiencia óptima del sistema.

MOSFET Transistors, Infineon

Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.

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€ 48,02

€ 0,96 Each (In a Tube of 50) (Sin IVA)

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CantidadPrecio Unitario sin IVAPer Tubo
50 - 50€ 0,96€ 48,02
100 - 200€ 0,913€ 45,64
250 - 450€ 0,874€ 43,68
500 - 1200€ 0,816€ 40,82
1250+€ 0,768€ 38,39

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23 mΩ

Modo de Canal

Mejora

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4V

Tensión de umbral de puerta mínima

2V

Disipación de Potencia Máxima

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Configuración de transistor

Single

Tensión Máxima Puerta-Fuente

-20 V, +20 V

Material del transistor

Si

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60 nC a 10 V

Temperatura Máxima de Operación

+175 °C

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55 °C

Altura

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País de Origen

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