MOSFET Infineon IRFR5305TRPBF, VDSS 55 V, ID 31 A, DPAK (TO-252) de 3 pines, , config. Simple
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
InfineonTipo de Canal
P
Corriente Máxima Continua de Drenaje
31,2 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
55 V
Series
HEXFET
Tipo de Encapsulado
DPAK (TO-252)
Tipo de montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
65 m.Ω
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
4V
Tensión de umbral de puerta mínima
2V
Disipación de Potencia Máxima
110 W
Configuración de transistor
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
-20 V, +20 V
Ancho
6.22mm
Material del transistor
Si
Número de Elementos por Chip
1
Longitud
6.73mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
63 nC a 10 V
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+175 °C
Altura
2.39mm
Mínima Temperatura de Funcionamiento
-55 °C
Tensión de diodo directa
1.3V
Datos del producto
MOSFET de potencia de canal P, de 40 V a 55 V, Infineon
La gama de MOSFET de potencia HEXFET® discretos de Infineon incluye dispositivos de canal P de montaje en superficie y encapsulados de conexión y factores de forma que se pueden adaptar a la mayoría de diseños de placas y factores térmicos. La gama completa de referencia reduce las pérdidas en unidades de resistencia, lo que permite a los diseñadores proporcionar una eficiencia óptima del sistema.
MOSFET Transistors, Infineon
Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.
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€ 84,71
€ 0,847 Each (Supplied on a Reel) (Sin IVA)
Empaque de Producción (Rollo)
100
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| Cantidad | Precio Unitario sin IVA | Per Rollo |
|---|---|---|
| 100 - 180 | € 0,847 | € 16,94 |
| 200 - 480 | € 0,812 | € 16,24 |
| 500 - 980 | € 0,758 | € 15,16 |
| 1000+ | € 0,713 | € 14,27 |
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31,2 A
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55 V
Series
HEXFET
Tipo de Encapsulado
DPAK (TO-252)
Tipo de montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
65 m.Ω
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
4V
Tensión de umbral de puerta mínima
2V
Disipación de Potencia Máxima
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Ancho
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Material del transistor
Si
Número de Elementos por Chip
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Longitud
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Máxima Temperatura de Funcionamiento
+175 °C
Altura
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Mínima Temperatura de Funcionamiento
-55 °C
Tensión de diodo directa
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MOSFET de potencia de canal P, de 40 V a 55 V, Infineon
La gama de MOSFET de potencia HEXFET® discretos de Infineon incluye dispositivos de canal P de montaje en superficie y encapsulados de conexión y factores de forma que se pueden adaptar a la mayoría de diseños de placas y factores térmicos. La gama completa de referencia reduce las pérdidas en unidades de resistencia, lo que permite a los diseñadores proporcionar una eficiencia óptima del sistema.
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