MOSFET Infineon IRFR120NTRLPBF, VDSS 100 V, ID 9,4 A, DPAK (TO-252) de 3 pines, , config. Simple
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
InfineonTipo de Canal
N
Corriente Máxima Continua de Drenaje
9.4 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
100 V
Series
HEXFET
Tipo de Encapsulado
DPAK (TO-252)
Tipo de montaje
Montaje superficial
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
210 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
4V
Tensión de umbral de puerta mínima
2V
Disipación de Potencia Máxima
48000 mW
Configuración de transistor
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
-20 V, +20 V
Profundidad
6.22mm
Número de Elementos por Chip
1
Material del transistor
Si
Longitud
6.73mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
25 nC a 10 V
Temperatura máxima de funcionamiento
+175 °C
Altura
2.39mm
Temperatura Mínima de Operación
-55 °C
País de Origen
China
Datos del producto
MOSFET de potencia de canal N de 100 V, Infineon
La gama de MOSFET de potencia HEXFET® discretos de Infineon incluye dispositivos de canal N de montaje en superficie y encapsulados de conexión. Y los factores de forma se pueden adaptar a casi cualquier disposición de placa y diseño térmico. La gama completa de referencia reduce las pérdidas en unidades de resistencia, lo que permite a los diseñadores proporcionar una eficiencia óptima del sistema.
MOSFET Transistors, Infineon
Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.
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€ 15,72
€ 0,786 Each (In a Pack of 20) (Sin IVA)
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20
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| Cantidad | Precio Unitario sin IVA | Per Pack |
|---|---|---|
| 20 - 180 | € 0,786 | € 15,72 |
| 200 - 480 | € 0,614 | € 12,27 |
| 500 - 980 | € 0,574 | € 11,48 |
| 1000 - 1980 | € 0,534 | € 10,68 |
| 2000+ | € 0,496 | € 9,93 |
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N
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100 V
Series
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Tipo de Encapsulado
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Tipo de montaje
Montaje superficial
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
210 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
4V
Tensión de umbral de puerta mínima
2V
Disipación de Potencia Máxima
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Profundidad
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1
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Si
Longitud
6.73mm
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Temperatura máxima de funcionamiento
+175 °C
Altura
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Temperatura Mínima de Operación
-55 °C
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La gama de MOSFET de potencia HEXFET® discretos de Infineon incluye dispositivos de canal N de montaje en superficie y encapsulados de conexión. Y los factores de forma se pueden adaptar a casi cualquier disposición de placa y diseño térmico. La gama completa de referencia reduce las pérdidas en unidades de resistencia, lo que permite a los diseñadores proporcionar una eficiencia óptima del sistema.
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