MOSFET Infineon IRFP4668PBF, VDSS 200 V, ID 130 A, TO-247AC de 3 pines, , config. Simple

Código de producto RS: 688-7027Marca: InfineonNúmero de parte de fabricante: IRFP4668PBF
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Documentos Técnicos

Especificaciones

Tipo de Canal

N

Corriente Máxima Continua de Drenaje

130 A

Tensión Máxima Drenador-Fuente

-200 V

Series

HEXFET

Tipo de Encapsulado

TO-247AC

Tipo de montaje

Through Hole

Conteo de Pines

3

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

10 mΩ

Modo de Canal

Mejora

Tensión de umbral de puerta máxima

5V

Tensión de umbral de puerta mínima

3V

Disipación de Potencia Máxima

520 W

Configuración de transistor

Single

Tensión Máxima Puerta-Fuente

-30 V, +30 V

Carga Típica de Puerta @ Vgs

161 nC a 10 V

Profundidad

5.31mm

Material del transistor

Si

Número de Elementos por Chip

1

Longitud

15.87mm

Temperatura máxima de funcionamiento

+175 °C

Altura

20.7mm

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55 °C

Tensión de diodo directa

1.3V

Datos del producto

MOSFET de rectificador síncrono ac-dc y control de motor, Infineon

MOSFET para control del motor

Infineon ofrece una cartera completa de dispositivos MOSFET de canal N y P resistentes para las aplicaciones de control de motor.

MOSFET de rectificador síncrono

Una cartera de dispositivos MOSFET de rectificación síncrona para fuentes de alimentación ac-dc admite la demanda de los clientes de una mayor densidad de potencia, menor tamaño, más portabilidad y sistemas más flexibles.

MOSFET Transistors, Infineon

Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.

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TO-247AC

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3

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Mejora

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5V

Tensión de umbral de puerta mínima

3V

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Temperatura máxima de funcionamiento

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Altura

20.7mm

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Tensión de diodo directa

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