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MOSFET Infineon IRFP064NPBF, VDSS 55 V, ID 110 A, TO-247AC de 3 pines, , config. Simple

Código de producto RS: 919-4808Marca: InfineonNúmero de parte de fabricante: IRFP064NPBF
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Documentos Técnicos

Especificaciones

Tipo de Canal

N

Corriente Máxima Continua de Drenaje

110 A

Tensión Máxima Drenador-Fuente

55 V

Series

HEXFET

Tipo de Encapsulado

TO-247AC

Tipo de montaje

Through Hole

Conteo de Pines

3

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

8 m.Ω

Modo de Canal

Mejora

Tensión de umbral de puerta máxima

4V

Tensión de umbral de puerta mínima

2V

Disipación de Potencia Máxima

200 W

Configuración de transistor

Single

Tensión Máxima Puerta-Fuente

-20 V, +20 V

Ancho

5.3mm

Material del transistor

Si

Número de Elementos por Chip

1

Longitud

15.9mm

Carga Típica de Puerta @ Vgs

170 nC a 10 V

Máxima Temperatura de Funcionamiento

+175 °C

Altura

20.3mm

Mínima Temperatura de Funcionamiento

-55 °C

País de Origen

Mexico

Datos del producto

MOSFET de potencia de canal N de 55V, Infineon

La gama de MOSFET de potencia HEXFET® discretos de Infineon incluye dispositivos de canal N de montaje en superficie y encapsulados de conexión y factores de forma que se pueden adaptar a la mayoría de diseños de placas y factores térmicos. La gama completa de referencia reduce las pérdidas en unidades de resistencia, lo que permite a los diseñadores proporcionar una eficiencia óptima del sistema.

MOSFET Transistors, Infineon

Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.

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€ 50,16

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2V

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Ancho

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1

Longitud

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Carga Típica de Puerta @ Vgs

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Máxima Temperatura de Funcionamiento

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Altura

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Mínima Temperatura de Funcionamiento

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