MOSFET Infineon IRFB3004PBF, VDSS 40 V, ID 340 A, TO-220AB de 3 pines, config. Simple

Código de producto RS: 688-6904Marca: InfineonNúmero de parte de fabricante: IRFB3004PBF
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Documentos Técnicos

Especificaciones

Brand

Infineon

Tipo de Canal

N

Corriente Máxima Continua de Drenaje

340 A

Tensión Máxima Drenador-Fuente

40 V

Tipo de Encapsulado

TO-220AB

Tipo de montaje

Through Hole

Conteo de Pines

3

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

2 mΩ

Modo de Canal

Mejora

Tensión de umbral de puerta máxima

4V

Tensión de umbral de puerta mínima

2V

Disipación de Potencia Máxima

380 W

Configuración de transistor

Single

Tensión Máxima Puerta-Fuente

-20 V, +20 V

Carga Típica de Puerta @ Vgs

160 nC a 10 V

Número de Elementos por Chip

1

Temperatura máxima de funcionamiento

+175 °C

Longitud

10.67mm

Profundidad

4.83mm

Material del transistor

Si

Series

HEXFET

Temperatura Mínima de Operación

-55 °C

Altura

9.02mm

Datos del producto

MOSFET de rectificador síncrono ac-dc y control de motor, Infineon

MOSFET para control del motor

Infineon ofrece una cartera completa de dispositivos MOSFET de canal N y P resistentes para las aplicaciones de control de motor.

MOSFET de rectificador síncrono

Una cartera de dispositivos MOSFET de rectificación síncrona para fuentes de alimentación ac-dc admite la demanda de los clientes de una mayor densidad de potencia, menor tamaño, más portabilidad y sistemas más flexibles.

MOSFET Transistors, Infineon

Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.

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TO-220AB

Tipo de montaje

Through Hole

Conteo de Pines

3

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

2 mΩ

Modo de Canal

Mejora

Tensión de umbral de puerta máxima

4V

Tensión de umbral de puerta mínima

2V

Disipación de Potencia Máxima

380 W

Configuración de transistor

Single

Tensión Máxima Puerta-Fuente

-20 V, +20 V

Carga Típica de Puerta @ Vgs

160 nC a 10 V

Número de Elementos por Chip

1

Temperatura máxima de funcionamiento

+175 °C

Longitud

10.67mm

Profundidad

4.83mm

Material del transistor

Si

Series

HEXFET

Temperatura Mínima de Operación

-55 °C

Altura

9.02mm

Datos del producto

MOSFET de rectificador síncrono ac-dc y control de motor, Infineon

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MOSFET de rectificador síncrono

Una cartera de dispositivos MOSFET de rectificación síncrona para fuentes de alimentación ac-dc admite la demanda de los clientes de una mayor densidad de potencia, menor tamaño, más portabilidad y sistemas más flexibles.

MOSFET Transistors, Infineon

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