MOSFET Infineon IRF630NPBF, VDSS 200 V, ID 9,3 A, TO-220AB de 3 pines, , config. Simple

Código de producto RS: 919-5025Marca: InfineonNúmero de parte de fabricante: IRF630NPBF
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Documentos Técnicos

Especificaciones

Tipo de Canal

N

Corriente Máxima Continua de Drenaje

9.3 A

Tensión Máxima Drenador-Fuente

-200 V

Series

HEXFET

Tipo de Encapsulado

TO-220AB

Tipo de montaje

Through Hole

Conteo de Pines

3

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

300 mΩ

Modo de Canal

Mejora

Tensión de umbral de puerta máxima

4V

Tensión de umbral de puerta mínima

2V

Disipación de Potencia Máxima

82 W

Configuración de transistor

Single

Tensión Máxima Puerta-Fuente

-20 V, +20 V

Número de Elementos por Chip

1

Longitud

10.54mm

Carga Típica de Puerta @ Vgs

35 nC a 10 V

Temperatura Máxima de Funcionamiento

+175 °C

Anchura

4.69mm

Material del transistor

Si

Temperatura Mínima de Funcionamiento

-55 °C

Altura

8.77mm

Datos del producto

MOSFET de potencia de canal N, 150 V a 600 V, Infineon

La gama de MOSFET de potencia HEXFET® discretos de Infineon incluye dispositivos de canal N de montaje en superficie y encapsulados de conexión y factores de forma que se pueden adaptar a la mayoría de diseños de placas y factores térmicos. La gama completa de referencia reduce las pérdidas en unidades de resistencia, lo que permite a los diseñadores proporcionar una eficiencia óptima del sistema.

MOSFET Transistors, Infineon

Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.

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€ 37,99

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CantidadPrecio Unitario sin IVAPer Tubo
50 - 50€ 0,76€ 37,99
100 - 200€ 0,601€ 30,04
250 - 450€ 0,562€ 28,11
500 - 1200€ 0,525€ 26,24
1250+€ 0,486€ 24,31

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3

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Anchura

4.69mm

Material del transistor

Si

Temperatura Mínima de Funcionamiento

-55 °C

Altura

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