MOSFET Infineon IPT007N06NATMA1, VDSS 60 V, ID 300 A, HSOF-8 de 8 pines, , config. Simple
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
InfineonTipo de Canal
N
Corriente Máxima Continua de Drenaje
300 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
60 V
Series
OptiMOS™ 5
Tipo de Encapsulado
HSOF-8
Tipo de montaje
Montaje superficial
Conteo de Pines
8
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
1 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Disipación de Potencia Máxima
375000 mW
Configuración de transistor
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
-20 V, +20 V
Número de Elementos por Chip
1
Profundidad
10.1mm
Longitud
10.58mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
216 nC a 10 V
Material del transistor
Si
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+175 °C
Tensión de diodo directa
1V
Altura
2.4mm
Mínima Temperatura de Funcionamiento
-55 °C
Datos del producto
MOSFET de potencia OptiMOS™5 de Infineon
MOSFET Transistors, Infineon
Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.
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€ 7.567,78
€ 3,784 Each (On a Reel of 2000) (Sin IVA)
2000
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Máxima Temperatura de Funcionamiento
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