MOSFET Infineon IPP200N15N3 G, VDSS 150 V, ID 50 A, TO-220 de 3 pines, config. Simple
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
InfineonTipo de Canal
N
Corriente Máxima Continua de Drenaje
50 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
150 V
Tipo de Encapsulado
TO-220
Tipo de montaje
Through Hole
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
20 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
4V
Tensión de umbral de puerta mínima
2V
Disipación de Potencia Máxima
150000 mW
Configuración de transistor
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
-20 V, +20 V
Temperatura Máxima de Operación
+175 °C
Longitud
10.36mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
23 nC @ 10 V
Profundidad
4.57mm
Material del transistor
Si
Número de Elementos por Chip
1
Temperatura de Funcionamiento Mínima
-55 °C
Altura
15.95mm
Series
OptiMOS 3
País de Origen
China
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Price on asking
Each (Supplied in a Tube) (Sin IVA)
Empaque de Producción (Tubo)
5
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Tipo de montaje
Through Hole
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
20 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
4V
Tensión de umbral de puerta mínima
2V
Disipación de Potencia Máxima
150000 mW
Configuración de transistor
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Tensión Máxima Puerta-Fuente
-20 V, +20 V
Temperatura Máxima de Operación
+175 °C
Longitud
10.36mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
23 nC @ 10 V
Profundidad
4.57mm
Material del transistor
Si
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