MOSFET Infineon IPP023N10N5AKSA1, VDSS 100 V, ID 120 A, TO-220 de 3 pines, , config. Simple
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
InfineonTipo de Canal
N
Corriente Máxima Continua de Drenaje
120 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
100 V
Series
OptiMOS™ 5
Tipo de Encapsulado
TO-220
Tipo de montaje
Through Hole
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
2.8 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
3.8V
Tensión de umbral de puerta mínima
2.2V
Disipación de Potencia Máxima
375000 mW
Configuración de transistor
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
-20 V, +20 V
Número de Elementos por Chip
1
Profundidad
4.57mm
Longitud
10.36mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
168 nC a 10 V
Material del transistor
Si
Temperatura máxima de funcionamiento
+175 °C
Tensión de diodo directa
1.2V
Altura
15.95mm
Temperatura de Funcionamiento Mínima
-55 °C
País de Origen
Malaysia
Datos del producto
MOSFET de potencia OptiMOS™5 de Infineon
MOSFET Transistors, Infineon
Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.
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Si
Temperatura máxima de funcionamiento
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Tensión de diodo directa
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Altura
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