Transistor MOSFET Infineon IPD042P03L3 G, VDSS 30 V, ID 70 A, TO-252 de 3 pines, config. Simple

Brand

Tipo de Canal

P

Corriente Máxima Continua de Drenaje

70 A

Tensión Máxima Drenador-Fuente

30 (canal N) V, -30 (canal P) V

Tipo de Encapsulado

TO-252

Tipo de montaje

Montaje superficial

Conteo de Pines

3

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

6.8 mΩ

Modo de Canal

Mejora

Tensión de umbral de puerta máxima

1V

Tensión de umbral de puerta mínima

2V

Disipación de Potencia Máxima

150000 mW

Configuración de transistor

Single

Tensión Máxima Puerta-Fuente

-20 V, +20 V

Profundidad

6.22mm

Número de Elementos por Chip

1

Temperatura máxima de funcionamiento

+175 °C

Longitud

6.73mm

Carga Típica de Puerta @ Vgs

131 nC a 10 V

Altura

2.41mm

Temperatura Mínima de Operación

-55 °C

País de Origen

Malaysia