MOSFET Infineon IPB200N25N3GATMA1, VDSS 250 V, ID 64 A, D2PAK (TO-263) de 3 pines, , config. Simple
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
InfineonTipo de Canal
N
Corriente Máxima Continua de Drenaje
64 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
250 V
Series
OptiMOS™ 3
Tipo de Encapsulado
D2PAK (TO-263)
Tipo de montaje
Montaje superficial
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
20 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
4V
Tensión de umbral de puerta mínima
2V
Disipación de Potencia Máxima
300000 mW
Configuración de transistor
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
-20 V, +20 V
Número de Elementos por Chip
1
Longitud
10.31mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
64 nC a 10 V
Temperatura Máxima de Operación
+175 °C
Material del transistor
Si
Profundidad
9.45mm
Tensión de diodo directa
1.2V
Temperatura de Funcionamiento Mínima
-55 °C
Altura
4.57mm
Datos del producto
MOSFET de potencia Infineon OptiMOS™3, 100 V y superior
MOSFET Transistors, Infineon
Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.
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4V
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Temperatura Máxima de Operación
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Si
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Temperatura de Funcionamiento Mínima
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Altura
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MOSFET de potencia Infineon OptiMOS™3, 100 V y superior
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