Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
InfineonTipo de Canal
N
Corriente Máxima Continua de Drenaje
187 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
60 V
Tipo de Encapsulado
PG-TO263-3
Tipo de montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
3
Modo de Canal
Mejora
Número de Elementos por Chip
2
Material del transistor
SiC
Información de stock no disponible temporalmente.
$ 851,16
$ 1,064 Each (On a Reel of 800) (Sin IVA)
MOSFET Infineon IPB018N06NF2SATMA1, VDSS 60 V, ID 187 A, PG-TO263-3 de 3 pines, 2elementos
800
$ 851,16
$ 1,064 Each (On a Reel of 800) (Sin IVA)
MOSFET Infineon IPB018N06NF2SATMA1, VDSS 60 V, ID 187 A, PG-TO263-3 de 3 pines, 2elementos
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800
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Cantidad | Precio Unitario sin IVA | Per Rollo |
---|---|---|
800 - 800 | $ 1,064 | $ 851,16 |
1600+ | $ 1,011 | $ 808,44 |
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Especificaciones
Brand
InfineonTipo de Canal
N
Corriente Máxima Continua de Drenaje
187 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
60 V
Tipo de Encapsulado
PG-TO263-3
Tipo de montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
3
Modo de Canal
Mejora
Número de Elementos por Chip
2
Material del transistor
SiC