MOSFET Infineon IPB011N04NGATMA1, VDSS 40 V, ID 180 A, D2PAK-7 de 7 pines, , config. Simple

Código de producto RS: 145-9552Marca: InfineonNúmero de parte de fabricante: IPB011N04NGATMA1
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Documentos Técnicos

Especificaciones

Brand

Infineon

Tipo de Canal

N

Corriente Máxima Continua de Drenaje

180 A

Tensión Máxima Drenador-Fuente

40 V

Series

OptiMOS™ 3

Tipo de Encapsulado

D2PAK-7

Tipo de montaje

Surface Mount

Conteo de Pines

7

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

1.1 mΩ

Modo de Canal

Mejora

Disipación de Potencia Máxima

250000 mW

Configuración de transistor

Single

Tensión Máxima Puerta-Fuente

-20 V, +20 V

Ancho

9.45mm

Material del transistor

Si

Número de Elementos por Chip

1

Longitud

10.31mm

Carga Típica de Puerta @ Vgs

188 nC a 10 V

Máxima Temperatura de Funcionamiento

+175 °C

Altura

4.57mm

Mínima Temperatura de Funcionamiento

-55 °C

Tensión de diodo directa

1.2V

País de Origen

China

Datos del producto

MOSFET de potencia OptiMOS™3 de Infineon, hasta 40 V

Los productos OptiMOS™ están disponibles en encapsulados de alto rendimiento para uso en las aplicaciones más exigentes con flexibilidad total en espacios limitados. Estos productos de Infineon están diseñados para cumplir y superar los requisitos de eficiencia energética y densidad de potencia de las normativas más exigentes de regulación de tensión de próxima generación en aplicaciones de computación.

MOSFET de conmutación rápida para SMPS
Tecnología optimizada para convertidores dc/dc
Homologación según JEDEC1) para aplicaciones de destino
Canal N, nivel lógico
Excelente carga de compuerta por producto RDS(on) (FOM)
RDS(on) de muy baja resistencia
Chapado sin plomo

MOSFET Transistors, Infineon

Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.

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$ 1.696,85

$ 1,697 Each (On a Reel of 1000) (Sin IVA)

MOSFET Infineon IPB011N04NGATMA1, VDSS 40 V, ID 180 A, D2PAK-7 de 7 pines, , config. Simple

1000

Disponible en múltiplos de 1000
1000$ 1.696,85
2000$ 3.393,69
3000$ 5.090,54
4000$ 6.787,39
5000$ 8.484,24
6000$ 10.181,08
7000$ 11.877,93
8000$ 13.574,78
9000$ 15.271,62
10000$ 16.968,47
11000$ 18.665,32
12000$ 20.362,16
13000$ 22.059,01
14000$ 23.755,86
15000$ 25.452,70

$ 1.696,85

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5000$ 8.484,24
6000$ 10.181,08
7000$ 11.877,93
8000$ 13.574,78
9000$ 15.271,62
10000$ 16.968,47
11000$ 18.665,32
12000$ 20.362,16
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D2PAK-7

Tipo de montaje

Surface Mount

Conteo de Pines

7

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

1.1 mΩ

Modo de Canal

Mejora

Disipación de Potencia Máxima

250000 mW

Configuración de transistor

Single

Tensión Máxima Puerta-Fuente

-20 V, +20 V

Ancho

9.45mm

Material del transistor

Si

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1

Longitud

10.31mm

Carga Típica de Puerta @ Vgs

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Máxima Temperatura de Funcionamiento

+175 °C

Altura

4.57mm

Mínima Temperatura de Funcionamiento

-55 °C

Tensión de diodo directa

1.2V

País de Origen

China

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MOSFET de conmutación rápida para SMPS
Tecnología optimizada para convertidores dc/dc
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