MOSFET Infineon IMW65R083M1HXKSA1, VDSS 650 V, ID 24 A, TO-247 de 3 pines
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
InfineonTipo de Canal
N
Corriente Máxima Continua de Drenaje
24 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
650 V
Series
CoolSiC
Tipo de Encapsulado
TO-247
Tipo de montaje
Through Hole
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
0,111 Ω
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
5.7V
Número de Elementos por Chip
1
Material del transistor
Silicio
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€ 164,38
€ 5,479 Each (In a Tube of 30) (Sin IVA)
30
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30
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| Cantidad | Precio Unitario sin IVA | Per Tubo |
|---|---|---|
| 30 - 30 | € 5,479 | € 164,38 |
| 60 - 120 | € 5,206 | € 156,18 |
| 150+ | € 4,876 | € 146,29 |
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N
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24 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
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Tipo de Encapsulado
TO-247
Tipo de montaje
Through Hole
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
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