Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
InfineonTipo de Canal
N
Corriente Máxima Continua de Drenaje
50 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
650 V
Series
CoolSiC MOSFET 650 V G1
Tipo de Encapsulado
PG-HSOF-8
Tipo de montaje
Montaje superficial
Conteo de Pines
8
Modo de Canal
Mejora
Número de Elementos por Chip
1
Material del transistor
SiC
$ 19.493,70
$ 9,747 Each (On a Reel of 2000) (Sin IVA)
2000
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N
Corriente Máxima Continua de Drenaje
50 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
650 V
Series
CoolSiC MOSFET 650 V G1
Tipo de Encapsulado
PG-HSOF-8
Tipo de montaje
Montaje superficial
Conteo de Pines
8
Modo de Canal
Mejora
Número de Elementos por Chip
1
Material del transistor
SiC